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  • 臭名昭著的MOS管米勒效应

    如下是一个 NMOS 的开关电路，阶跃信号 VG1 设置 DC 电平 2V，方波（振幅 2V，频率 50Hz），T2 的开启电压 2V，所以 MOS 管 T2 会以周期 T=20ms 进行开启和截止状态的切换。     首先仿真 Vgs 和 Vds 的波形，会看到 Vgs=2V 的时候有一个小平台，有人会好奇为什么 Vgs 在上升时会有一个小平台？   MOS 管 Vgs 小平台   带着这个疑问

    MOS管

    -- . 2020-08-11 1010

  • DC SCAN与AC SCAN的异同 常用的OCC电路结构分析

    SCAN技术，也就是ATPG技术-- 测试std-logic， 主要实现工具是： 产生ATPG使用Mentor的 TestKompress和synopsys TetraMAX； 插入scan chain主要使用synopsys 的DFT compiler。 通常，我们所说的DCSCAN就是normal scan test 即慢速测试，测试频率是10M-30M AC SCAN 也就是at-speed

    制造工艺

    博客园 . 2020-08-11 3425

  • IGBT为什么这么难？

    内容精要：IGBT，需要大量的经验积累和技术储备，不是短时间内靠砸团队、砸资金就能突破的。市场层面，认证周期较长，替换成本高，壁垒更是很高。不管是技术还是市场，IGBT 行业对新进入者都极其不友好。毕竟我们起步晚了那么多年，要追赶，还是存在重重障碍。   IGBT 是一个难啃的骨头，这是一个公认的事实。   市场需求大，中国企业落后，这又是一个不争的事实。   根据市场研究机构的数据，中国目前 I

    IGBT

    -- . 2020-07-16 1895

  • 14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大尖端产品的影响

    近期笔者在清洗业务研讨会上发表了演讲。我不是一名清洗工艺专家，在演讲中介绍更多的是制造工艺的发展趋势及其对清洗的影响。我将在这篇文章中分享并进一步讨论那次演讲的内容，主要围绕 DRAM、逻辑器件和 NAND 这三大尖端产品。 DRAM 在 DRAM 章节的第一张幻灯片中，我按公司和年份呈现了 DRAM 工艺节点的变化。美光科技、三星和 SK 海力士是 DRAM 市场的主导厂商，所以我以这三家公司为

    DRAM

    -- . 2018-04-14 1865

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