攻克制硅技术难题 芯片制造成本大幅下降
一般来说制硅需要超过 2，000 华氏度（约 1，090 摄氏度）的高温，消耗的能源量非常之大，不过最近密歇根大学（University of Michigan）开发出了一种使用液态金属制硅的新技术，大大降低了制造过程中所需的温度及成本。通过将四氯化矽覆盖在液态镓电极上的方式，研究者们只需在仅仅华氏 180 度（约摄氏 82 度）的温度条件下便能制出纯硅晶体。 虽然目前研究者制出的晶体体积还非常小
制硅技术
Engadget . 2013-01-28 550
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