• 查一下
  • 开通会员

  • 已成功降低对日本半导体材料的依赖？日媒最新报导“打脸”韩国

      日本在2019年7月加强对韩国半导体材料出口的控制，要求在出口前必须分别接受审查。这一举措曾大幅影响两国供应链，并且让韩国开始明白，过度仰赖日本产品是有风险的。   因此，韩国开始推动高科技芯片材料的「自给自足」。韩国总统文在寅在7月2日一场因应日本「不公平」出口控制的两周年活动上表示，韩国在高科技材料方面已变得更自给自足，在用于制造电路的氟化氢、EUV光阻剂、以及用于智能手机OLED面板的氟

    半导体材料

    中国闪存市场 . 2021-08-09 1281

  • 国宏中宇牵头起草的团体标准《碳化硅单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》启动会成功召开

    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准《碳化硅单晶片 X 射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》起草工作启动会于 2020 年 11 月 11 日上午在国宏中晶集团总部会议室顺利召开。   《碳化硅单晶片 X 射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》团体标准由国宏中宇科技发展有限公司（下称“国宏中宇”）牵头，邀请天科合达半导体股份有限公司和北京聚睿众邦科技有限公司参与起草，联盟副秘书长郑红军女士、国宏中宇王

    中关村

    -- . 2020-11-26 1100

  • Si基半导体器件寸步难行？SiC与GaN游击战

    1. 厚积薄发，应运而生 作为半导体材料“霸主“的 Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以 SiC 和 GaN 为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以 Si 基器件为主导，SiC 和 GaN 为"游击"形式存在的局面。   在 Si 之前，锗 Ge 是最早用于制造半导体器件的材料，随后 Si 以其取材广泛、易形成 SiO2 绝缘层、禁带宽度比 Ge 大的优势取

    半导体材料

    -- . 2020-08-04 480

  • Soitec公布2020财年第一季度报告

    Soitec发布2020财年第一季度报告，收入较19财年同期上涨30%，全财年展望乐观。 北京，2019年8月23日——作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司公布了2020财年第一季度财报（截止至2019年6月30日）。 ·2020财年第一季度收入1.19亿欧元，与2019财年第一季度相比增长30%。 ·按固定汇率和边界1计，销售收入的有机增长与上一个财年同期相比

    SOITEC

    Soitec . 2019-08-23 850

  • 半导体材料迎来重大机遇

    去年中国半导体的进口额为2601亿美元，占全世界半导体交易量的65％。半导体国产化进程加快为相关公司提供了重大机遇。  据外媒报道，中国政府目标是截止2025年为止将半导体自给率提升至70%，世界智能手机的90%、电脑的65%和智能电视的67%都在中国生产，对于生产这些产品所必需的半导体，中国不能只依靠进口。中国的半导体自给率在2016年只占13.5%左右。由于中美贸易战的爆发，使得中国目前发力半

    半导体

    未知 . 2018-07-10 935

  • 可立克科技股份有限公司发布重大仲裁公告

    4月16日，国内LED驱动电源厂家深圳可立克科技股份有限公司（以下简称“可立克”）发布重大仲裁公告。 公告显示，可立克于2018年4月13日收到国际商会国际仲裁院(以下简称“ICC”)送达的仲裁通知（23530/MK）及仲裁申请文件。本次仲裁由ICC于2018年4月4日受理，ICC所在地为美国。 高工LED了解到，本次仲裁的申请人为 Cree, Inc.（以下简称“Cree”）,位于美国北卡罗来纳

    led

    未知 . 2018-04-20 820

  • 碳纳米管洁净度接近极致

    碳纳米管（CNTs）的两个主要特点对电子产品产生了重大影响，你可以将它们放在你想要的地方，以及把半导体材料和金属材料分开。 目前尚不清楚这些问题的解决方案是否已经为碳纳米管在后硅电子世界中的解决方案打开了大门。但至少有一些解决方案正在进行。碳纳米管的另一个问题：难以获得均匀的电阻测量。 现在，英国莱斯大学和英国斯旺西大学的研究小组在两位大学教授的安德鲁·巴伦（Andrew Barron）的带领下发

    碳纳米管

    未知 . 2018-03-09 855

  • 2016半导体制造设备市场规模为396.9亿美元

    美国SEMI的乔纳森·戴维斯（Jonathan Davis，全球副总裁）在2016年12月13日于东京召开的“SEMICON Japan 2016记者会”上，针对2016年及2017年的半导体制造装置市场发表了演讲。 乔纳森·戴维斯 图片由《日经电子》拍摄。 戴维斯表示，预计2016年全球半导体制造装置市场规模为396.9亿美元。同比增加8.7％。预计2017年将同比增加9.3％，达到434亿美元

    3d nand

    日经BP社 . 2016-12-16 750

  • 上海新阳：半导体材料国产化步正轨 跨界打开成长空间

    投资要点 国家意志助推国产替代加速，半导体材料市场空间巨大 在国家一系列政策密集出台的环境下和在国内市场强劲需求的推动下，我国集成电路产业整体保持平稳较快增长，开始迎来发展的加速期，2014年中国集成电路市场规模增至9917.9亿元，同比增长8.2%;中国半导体材料市场销售达到58.30亿美元，占全球销售额为13.15%，并且有呈稳步上升的趋势。出于对技术门槛考虑，国产化进程势必沿着IC封测-制造

    集成电路

    来源：互联网 . 2015-10-01 870

  • 我国技术工程化研究平台在廊坊落户

    中国科学院在廊坊经开区科技谷园区建设半导体技术工程化研究平台可研报告，近日获国家发改委批复。   该研究平台项目总建筑面积24343平方米，总投资13540万元，其中国家安排投资6600万元。建设内容包括半导体材料工程化平台、光电子器件工程化平台等试验和研究平台及相关辅助设施。   该研究平台建成后，将为国家提供急需的高性能半导体材料、光电器件、光电系统等先进工程化技术，推动我国在半导体优质材料、

    半导体材料

    来源：互联网 . 2014-08-08 1270

  • 8月1日快讯：光速被“降服”/棱镜门升级

    　　50亿光通信项目落户四川丹棱 建成后产值200亿 　　据丹棱县人民政府网站信息显示，总投资50亿的光通信高新产业基地项目落户四川丹棱县。 　　编辑解读： 　　该项目总投资50亿元，项目占地两千亩，分五期建设，主要生产纳米氧化锆新材料、光通信系列、光机电一体化产品、特种陶瓷系列产品。项目全部建成之后产值将达200亿元。 　　中国第3代半导体被外国垄断 国防所需严重受限 　　相比第二代半导体材料（

    互联网监视系统

    电子发烧友原创 . 2013-08-01 880

  • 半导体材料与设备业创新需政策助力

    　　从2010年开始，中国集成电路市场步入新一轮成长期，但市场的发展速度将不会再现前几年的高速增长态势，平稳增长将成为未来中国集成电路市场发展的主旋律。未来3年中国集成电路市场发展速度将保持在10%以上。因此，国内集成电路材料和设备企业，应该抓住机遇，努力创新，在重点材料和设备方面有所突破，满足国内市场需求。 　　根据SEMI的报告，2010年中国内地半导体设备市场为22.4亿美元，预计2011年

    半导体材料

    本站整理 . 2011-03-03 400

  • 1
  • 2
1345678910111213141516171819202122232425262728293031