诺思发布基于FBAR工艺的两款中高频LTE频段双工器
国内首家薄膜体声波（FBAR）芯片制造商诺思（天津）微系统有限责任公司（以下简称诺思），近日在第二届重庆国际手机博览会上发布了基于FBAR工艺的两款中高频LTE频段双工器，RSFD1702C及RSFD2502C。 诺思副总裁蒋浩在展会上说，自2014年开始大批量交付以来，诺思已经向全球100余家客户供应了射频滤波芯片近1亿颗，广泛应用于各类3G/4G无线智能终端、导航终端及设备、基站、卫星通讯、物
双工器
未知 . 2018-11-16 675
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