东部高科拟于2023年开发8英寸碳化硅功率半导体工艺
10月7日消息，韩国主要晶圆代工厂商东部高科（DB HiTek）正加快碳化硅功率半导体制造工艺开发，最早有望在明年启动8英寸工艺平台开发。 报道称，东部高科目前正同步推进碳化硅和氮化镓工艺研发，氮化镓的8英寸工艺开发已经铺开，计划在2-3年内完成，而碳化硅方面，该公司目前正开展6英寸工艺研发。 报道还透露，东部高科最早将于明年利用其生产基地闲置场地部署8英寸碳化硅功率半导体制造设备，相
东部高科
芯闻路1号 . 2022-10-07 1738
- 1