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  • 芯片毁于噪声（二）FinFET使噪声效应叠加

    书接上回，FinFET 技术已经成为工艺尺寸继续减小的主要动力。“在可预见的未来，极低的工作电压与漏电流使得 FinFET 工艺成为 CMOS 工艺的标准架构，” ANSYS 应用工程高级总监 Arvind Shanmugavel 说道，“但上述优点是有代价的—电源噪声问题变得突出。一方面，10 纳米或 7 纳米的 FinFET 器件在供电电压（Vsupply）为 500mV 时也能可靠地工作；另

    电迁移

    -- . 2016-09-23 760

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