不久前的PCIM Asia 2026展会上，东芝与基本半导体（BASiC Semiconductor）联合展示了1200V工业SiC MOSFET半桥模块E1B、E2B、ED3，以及RC-IGBT模块HP1；同时，围绕光伏、储能、快充、工业驱动、AI数据中心电源和固态变压器（SST）等方向，展示了SiC器件、模块与三相逆变器方案。
联合展示的背后：深化本土布局
本次PCIM Asia展会，东芝选择了与国内芯片企业基本半导体联合参展，联合展出了SiC模块和RC-IGBT模块。
在与芯查查的交流中，东芝深圳分公司技术部成栋表示，其在SiC和RC-IGBT芯片技术方面积累较早；基本半导体则更贴近功率模块开发、系统应用与市场响应。双方有望形成“全球技术能力+中国本土产业效率”的组合，共同支持和推广市场，共创未来。
在东芝看来，这不仅是一次展会合作，更是东芝持续推进中国本地化战略的重要实践。
SiC与IGBT不是替代关系，而是应用边界的重新划分
近年来，SiC器件价格迅速下降，很多之前由于成本原因没有采用SiC器件的应用场景也开始采用，蚕食了不少原来IGBT的市场。例如此次展会中，东芝展示的SiC MOSFET、SiC模块，以及基于SiC的三相逆变器，广泛应用在了光伏、储能、快速充电、工业驱动、AI数据中心电源，以及备受关注的SST（固态变压器）等应用场景。
在成栋看来，SiC器件之所以应用广泛，是因为与传统硅基IGBT方案相比，SiC器件能够显著降低开关损耗和反向恢复损耗，同时支持更高开关频率。根据不同应用场景，系统效率通常可提升1%～3%，而功率密度则有机会提升20%至50%。
此次展会上，东芝还展示了一款嵌入式SiC模块样品，包括1200V SiC 半桥嵌入式封装模块和1200V SiC 全桥嵌入式封装模块。这种嵌入式 SiC 的核心思路是将 SiC 功率裸芯片（bare die）直接嵌入 PCB 内部，取代传统的"芯片贴装 + 引线键合（wire bond）"封装方式。通过 PCB 集成工艺，芯片被封装在多层电路板内部，利用盲孔、铜柱等方式实现电气互连。
这么做的好处是可以降低寄生电感、获得更好的散热效果、更高的功率密度。
不过他也指出，虽然SiC器件发展迅速，但并不意味着硅基器件就会逐渐退出历史舞台，因为他们不是简单的替代关系，而是面向不同应用需求形成长期共存。拿东芝的硅基功率器件IEGT来说，在柔性直流输电、轨道交通等大功率系统中，东芝PPI压接式IEGT凭借高可靠性和成熟应用经验，仍然具有重要优势。
而在SST固态变压器、储能PCS、AI数据中心电源等需要高频、高效率和高功率密度的新兴应用中，SiC则更具吸引力。
因此，东芝认为，未来市场的发展方向应该是不同的应用，选择最合适的技术方案，为客户创造最大的系统价值。
SST仍在从示范走向规模化的门槛前
AI数据中心是东芝此次重点展示的应用之一。本次展会中，东芝展示的参考设计是48V总线两级降压DC-DC转换器，先将48V降为12V，再降至1.2V。东芝认为，当前48V架构仍将是主流方案，但随着AI机柜功率持续提升，业界正在积极探索800V高压直流供电架构，以减少转换级数，降低配电损耗，并提升整体能效。
而在800V高压直流供电架构中，SST将会是重要的节点设备。成栋告诉芯查查，东芝已经完成了从1200V到3300V的SiC产品布局，并已经启动芯片业务，来拓展更多，更适合的封装，以推动SST市场应用。
未来3至5年，随着AI数据中心800V HVDC，新能源并网，以及配电网数字化建设加速，东芝预计SST将从示范验证逐步进入规模化应用阶段。东芝希望凭借高压SiC器件、长期积累的电力电子经验，以及拓展到芯片业务，会为下一代智能电网和能源互联网提供核心技术支撑。
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