随着新能源汽车、储能系统及AI服务器电源不断向高功率、高效率和高功率密度方向发展，功率器件面临的性能挑战日益突出。尤其是在大电流工作条件下，传统硅基IGBT及MOSFET的导通损耗、开关损耗和散热压力逐渐增加，成为限制系统效率提升和设备小型化的重要因素。
为了满足高功率应用需求，镓未来推出G2E65R009系列650V、9mΩ车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该系列符合AEC-Q101车规标准，导通电阻（Rds（on））低至9mΩ。据镓未来官网介绍，这是目前业界导通电阻较低的650V氮化镓分立器件之一，可为新能源汽车、高功率工业设备和AI服务器电源提供更高效、更紧凑的功率转换方案。
G2E65R009系列提供TO-247PLUS-4L和ITO-247PLUS-3L（内绝缘）两种封装。其中，TO-247PLUS-4L封装通过独立开尔文源极引脚，有助于降低共源电感对高速开关性能的影响；ITO-247PLUS-3L采用内绝缘设计，可简化器件与散热器之间的绝缘处理。
G2E65R009系列主要特性
- 650V耐压，符合汽车应用的AEC-Q101标准；
- 导通电阻低至9mΩ，超1500A饱和电流（25℃）能力，可有效降低大电流工况下的导通损耗，相比传统硅基IGBT可降低60%以上；
- 优化死区管理，关断状态下提供最低反向导通电压，以降低死区时间损耗；
- 全拓扑高效运行，极低的Qoss可以保证无论是硬开关的DC-DC转换器，还是软开关的LLC谐振电路，均能保持极高的转换效率；
- 效率跃升，在5.3kW输出条件下，峰值效率可达99.35%，单颗分立器件可支持最高20kW功率输出；
- 热性能表现优异，结到壳热阻低至0.2℃/W，有助于降低器件结温和系统散热压力；
- 兼容Si MOSFET驱动方案，并可与同封装的Si/SiC MOSFET实现引脚兼容，方便工程师沿用现有驱动电路，加快产品开发和升级。
主要应用场景
由于G2E65R009系列产品的高性能和兼容性设计，可以实现与传统硅基器件的Pin2Pin兼容，加上其9mΩ的导通电阻和汽车级的可靠性，可应用于多种应用场景。
其主要的应用场景有新能源汽车、工业电机、储能系统、光伏逆变器等。
目前，该系列产品已与多家头部车企及一级供应商进入研发验证阶段，有望加快氮化镓功率器件在新能源汽车及其他高功率应用中的落地。
全部评论