在存储缺货和价格暴涨的背景下，合约价也开启了新一波涨价。根据最新消息，三星和美光都调涨了Q4的合约价。
三星涨价、美光停接新单
据外媒报道，三星已通知客户，计划在2025年第四季调涨部分DRAM产品价格，最高涨幅可能达到30%，其中行动DRAM（LPDDR4X、LPDDR5/5X）的涨幅最大。Benchmark证券则指出，美光则已通知客户要将NAND型闪存报价调涨20~30%，同时还暂停接受新订单。
目前DRAM市场的整体讯息呈现强劲的涨价趋势，DRAM和NANDFlash都出现缺货现象，且缺口比先前预测更大。
目前AI服务器与数据中心需求最为强劲，直接带动HBM和高阶DDR5的渗透率与需求。PC方面，随着Windows10服务退出，以及市场对AIPC的期待，带动PC端的换机需求转强，需要更多DRAM，及智能手机在高容量化趋势下，旗舰机种已大量搭载12GB以上的DRAM，推升LPDDR5等高阶行动DRAM的需求。
市场普遍认为，在原厂减产策略大势已定下，2025年内存价格不会再有下跌的机会，供应紧张将持续至2026年。
三大原厂产能有限
三大原厂DRAM新产能集中高带宽内存（HBM）及先进制程产品，传统DDR4供应进一步下滑，南亚科、华邦电登等存储厂商成为全球DDR4市场的新选择。
三星主导全球DRAM扩产布局，其P3L厂预计至2026年底可提升至每月11.5万片；P4L厂预计2025年第3季完工、第2期于2026年第2季投产，届时总产能达6万片；而P5L新厂则于2025年10月复工，预定2027年底量产。三星聚焦于1c纳米与HBM4世代产品，扩产步调审慎。
SK海力士韩国M15X厂今年第4季初完工，主要用于HBM3E与HBM4量产。由于HBM需求强劲，该公司优先将资源分配高阶封装与垂直堆栈，以巩固其在AI服务器供应链地位。
美光新产能多延后开出，中国台湾A3（P2）厂二期转型先进封装线，美国Boise厂第一阶段已完成、预计2027年量产，日本广岛厂计划新增2.5万片月产能，预定2027年底投产。扩产时程显示，美光将2026年前的投资重心放在HBM与封装整合，而非传统DRAM扩张。
铠侠NAND新产能进度保守。日本Fab7第二期虽可生产162层NAND，但量产延后；K2厂2025年10月完工，将导入第8代NAND，用于AI服务器、PC与手机应用。
整体来看，在2026年前，全球DRAM产能增幅有限。韩、美、日厂多聚焦于HBM及先进制程转换，传统DDR4与一般DRAM供应将持续紧俏。
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