今年的存储芯片行情进入了“超级周期”，三季度行业财报数据逐步好转，市场对四季度和2026年的期待值持续提升。由三星主导的DRAM和NAND业务迎来强劲周期，受供应短缺推动，产品价格前景持续向好，市场预计将出现"超级周期"。这些因素共同推动了韩国芯片股的上涨，并使韩国成为今年全球表现最好的股市之一。
存储产品方面，8月DRAM和NANDFlash合约价均上涨，9月DRAM现货价继续上涨。
TrendForce预计4Q25一般型DRAM价格环增8%-13%，含HBM的整体DRAM价格环增13%-18%；预计4Q25 NANDFlash平均价环增5%-10%。市场调查显示，未来三季度内DDR4内存的供应缺口将达到10-15%，分析师认为今年第四季度的DRAM报价可能上涨3成以上，部分规格的DRAM涨幅有可能突破5成，预计DDR4内存平均涨幅将达30-50%。
这场涨价潮的核心驱动力来自人工智能需求的爆发式增长。AI服务器对存储配置的要求远超传统服务器，单台AI服务器需配备3TB以上内存和PB级存储，消耗着大量高端存储芯片。同时，三星、SK海力士和美光等内存制造商全力冲击HBM，将70%以上的产能转向HBM和DDR5，导致传统DRAM和NAND供给锐减。三星甚至计划年底全面停产8GB/16GB DDR4模组，三大原厂已决定停产DDR4并拆除相关旧设备，绝不可能再回头重新生产DDR4，市场供应缺口将持续扩大。
知名存储模组大厂威刚董事长陈立白表示，目前存储产业行情"好到让我们头痛"，存储于8月下旬突然开启缺货涨价，反弹早于供应商预期。他认为DDR4产品价格涨幅将是存储行业之最，其次为DDR5。据他透露，NAND闪存在云厂商的刚性需求驱动下，缺货将延续到明年上半年；硬盘缺货情况也将越来越严重，预计韩国厂商近日宣布的新品合约价格或将上涨20%-30%。
国内存储模组厂德明利表示，预计四季度存储价格有望维持上涨趋势。佰维存储回应称，目前存储价格持续回升，叠加传统旺季的备货动能，以及AI眼镜等新兴应用需求旺盛，景气度仍会持续。江波龙指出，继美光向渠道通知存储产品即将上涨20%~30%之后，三星通知大客户第四季度DRAM类LPDDR4X、LPDDR5/5X协议价格预计上涨15%-30%以上，NAND类eMMC/UFS协议价格预计涨幅5%-10%。
三星电子预计今年第三季度营业利润将达到自2022年以来的最高水平，主要得益于服务器需求带动的存储芯片价格上涨，据LSEG SmartEstimate对31位分析师的调查，三星当季营业利润预计达10.1万亿韩元（合71.1亿美元），同比增长10%。SK海力士表示，旗下DRAM和NAND闪存产品的出货量均超出预期，创下了历史最高业绩，预计下半年客户的新产品上市在即，存储器需求将持续增长趋势。
美光科技公布了好于预期的2025年第四财季营收和利润，第四季度经调整营收为113.2亿美元，同比增长46%，调整后每股收益为3.03美元。美光预计2026财年第一财季营收为122亿至128亿美元，预计第一财季调整后毛利率为50.5%-52.5%。美光CEO Sanjay Mehrotra强调，当前半导体芯片（尤其是HBM芯片）的供需不平衡预计将加剧，HBM的产能已经被锁定，需求增长显著，预计2026年HBM出货量增速将超过整体DRAM。
德邦证券指出，本轮存储芯片需求源自大型科技公司在AI时代的算力基建，持续性可能更强。随着AI应用场景的持续扩展，存储芯片市场的高景气度可能只是刚刚开始。CFM闪存市场预测，随着AI服务器出货规模持续扩大，下半年服务器NAND市场备货需求升温，手机新品发布将催生新一轮换机需求，叠加存储晶圆原厂兼顾投入产出比的供应策略影响，四季度存储市场价格将迎来全面上涨。行业分析师认为存储行情可能还会持续最少半年。
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