格罗方德硅储（SiGe）技术专为实现高功率、稳定信号功能而设计。格罗方德已累计出货超过40亿枚基于SiGe的芯片，格罗方德丰富的经验可帮助您构建设计，实现设备所需的速度、带宽和数字功能，将您的创新方案变为现实。

  
1  200mm晶圆硅锗

2  数十年SiGe开发经验 

3  格罗方德最为成熟的生产技术之一

  
大功率功能的可靠技术

作为全球少数几家在200毫米晶圆上制造硅锗技术的代工厂之一，格罗方德提供了一个满足现代技术对功率、性能和可靠性要求的集成平台。

• 针对功率放大器应用、高频光学和无线网络应用、卫星通信和通信基础设施进行了专属优化 
• 工艺设计套件（PDKs）充分利用了格罗方德专家作为原始开发者和将SiGe技术推向大规模生产的先驱者的数十年经验
• 高能效、低寄生效应、高速度和高带宽、低噪声和高频率性能等优势 
• 在高效硅平台上实现业界领先的功率和性能、集成射频和数字功能 
• 创新、灵活、全面的设计支持，配备全套数字库及复杂混合信号解决方案的集成能力

锗硅功率放大器助力移动基础设施与射频性能

硅锗功率放大器（SiGe PA）平台专为优化移动和固定射频应用的集成与性能而设计。

• 硅锗功率放大器已成功应用于WiFi功率放大器十余年，设备出货量达数十亿台 
• 5PAe和5PAx平台采用高线性设计，简化独立WiFi和蜂窝功率放大器应用联合设计流程，实现价值与性能兼顾
• 1KW5PAe和1KPAx对性能和集成度进一步优化，可在单个芯片上实现功率放大器、射频开关和低噪声放大器 
• 高电阻率基底产品可在单个芯片上集成多种射频功能  

硅锗高性能技术打造卓越高性能设计

格罗方德硅锗高性能技术（SiGe HP）凭借数十年的丰富经验，精准应对了当前数字和射频等应用领域的新兴需求。 

• 支持毫米波技术、拥有卓越低噪声和高频性能，并采用先进异质结双极晶体管（HBT）技术
• 端到端设计支持、原型开发服务、射频网络支持和先进制造技术 
• 9HP技术平台具有行业领先的fT/fMAX 性能，与130nm硅锗高性能选项相比，集成密度最高可提高50%以上
• 130nm硅锗平台实现了HBT性能、栅极密度和成本之间的平衡