据中新社香港报道，7月30日，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司签署合作协议，将于香港科学园内设立全香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，并于创新园开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线。
据介绍，此次在港设立的研发中心，将聚焦开发8寸氮化镓外延片工艺及设备平台，用于制作氮化镓光电子和功率器件。相关中试线将耗资2亿港元，设立投产后，会进行氮化镓外延片的小批量生产。
麻省光子技术将联合香港微电子专家开发下游的氮化镓光电子和功率半导体器件。通过新产品的中试研发和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化镓外延技术和产品专利包，目标是三年内完成中试并启动在香港的氨化镓外延量产产线建设，实现年产1万片8寸氨化镓晶圆产能，将香港制造的外延片产品推向全球市场。预计将带动创造超过250个微电子相关的就业职位，包括外延片及设备设计、生产流程发展等。
香港特区政府创新科技及工业局局长孙东表示，第三代半导体是香港近年来重点发展的科技领域，氮化镓外延工艺是发展第三代半导体的关键技术，能够优化产品性能，提升稳定性，为行业带来革命性突破。香港微电子研发院将于年内成立，并设立碳化硅和氮化镓两条中试线，协助初创、中小企业进行试产、测试和认证，促进产、学、研在第三代半导体核心技术上的合作。
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