TechInsights一直在分析从 SK 海力士 2TB SSD PC811 HFS002TEM9X152N （器件： H25T3TDG8C-X682 ）中取出的 SK 海力士 238L 512 Gb 3D NAND 芯片。 目前，三星 236L 、 SK 海力士 238L 、美光 232L 和长江存储 232L 等 2xx 层 TLC NAND 产品与 铠侠和西部数据的 112L/162L 以及 Solidigm 的 144L/192L (FG) 一起成为了市场主流。 

说到 3D NAND 单元的效率，垂直单元效率 (VCE) 是 NAND 单元工艺、设计、集成和器件运行中必须考虑的重要因素。随着堆叠总栅极数的增加，单元 VC 孔的高度也随之增加。

为了降低 VC 高度和纵横比，其中一种方法是通过减少虚拟栅极（dummy gates）、通过栅极（passing gates）和选择栅极（select gates）的数量来提高垂直单元效率。垂直单元效率可以用总栅极中active cell的百分比来定义，也就是用active WL 除以集成的总栅极数来计算。垂直单元效率越高，工艺集成度越高，纵横比越低，整体效率越高。

在多代 3D NAND 产品中，三星始终以最高的垂直单元效率领跑行业。他们最新的多层V-NAND 在前几代以高效著称的基础上，拥有令人印象深刻的垂直单元效率。

美光和长江存储也在其产品中展示了强劲的垂直单元效率数据，这反映出它们在减少虚拟栅极、通过栅极和选择栅极数量方面取得了显著进步，从而优化了垂直单元效率。 

相比之下，铠侠的3D NAND的垂直单元效率略低，这表明其仍有改进的空间。竞争态势凸显了3D NAND技术不断创新以提高垂直单元效率和整体性能的重要性。

随着技术的不断发展，我们可以预见，进一步的改进和突破将推动下一代数据存储解决方案的诞生。三星、SK 海力士、美光和长江存储等行业领导者对更高垂直单元效率值的不懈追求有望塑造 3D NAND 技术的未来，为各种应用提供更高效、更强大的存储选择。