4月9日消息，台积电与美国商务部宣布签署一项不具约束力的初步协议（PMT），台积电将根据美国《芯片和科学法案》获得高达66亿美元的直接资助，以及高达50亿美元的贷款，将在凤凰城建设第3家晶圆代工厂，到2030年生产2nm或更先进芯片。

根据美国周一宣布的初步协议，除了分别预计将于2025年和2028年投产的两家工厂外，台积电还将在凤凰城建设第三家工厂。

第三家芯片工厂建设将使台积电在亚利桑那州的总投资增加到650亿美元，促就亚利桑那州史上最大的海外直接投资。

台积电在亚利桑那州的第一家晶圆厂Fab 21一期将于2025年上半年开始生产，生产4nm FinFET技术。（台积电美国工厂Fab21上机仪式在2022年12月举行）

第二个晶圆厂Fab 21二期将生产世界上最先进的2nm工艺技术，除了此前宣布的3nm技术外，还将采用下一代nanosheet晶体管技术，2028年开始生产。

第三家晶圆厂将采用2nm或更先进工艺来生产芯片，并将到2030年开始生产。在满负荷运转的情况下，台积电亚利桑那州的三个晶圆厂将生产数千万个顶尖芯片，为5G/6G智能手机、自动驾驶汽车和人工智能（AI）数据中心服务器等产品提供动力。

美国商务部长吉娜·雷蒙多表示，2纳米芯片对于包括人工智能在内的新兴技术而言至关重要。雷蒙多称，对台积电的拨款包括5,000万美元用于培训当地员工，将创造6,000个高科技制造岗位，以及超过两万个建筑业岗位。

台积电董事长刘德音在一份声明中表示，“来自《芯片与科学法》的计划资金将给台积电提供机会，来进行前所未有的投资，并在美国提供最先进制造技术铸造服务”。

距离台积电获得承诺资金还将有数月的时间，公司将进入尽职调查期，随后达成最终、具有约束力的协议。随后资金会根据建设和生产基准进行拨付，如果台积电不遵守协议，资金可以收回。