据外媒报道，日本主要功率半导体厂商三菱电机日前已经在其位于日本福山的工厂完成了第一条300mm晶圆产线的设备安装调试，样品生产和测试验证了生产线上加工的功率半导体芯片达到了所需的性能水平。

  报道称，三菱电机计划于2025财年开始量产300mm功率硅晶圆生产线。该公司的目标是到2026财年将其硅功率半导体晶圆加工能力与2021财年的水平相比增加约一倍。根据此前规划，福山工厂产品将包括RC-IGBT等高性能功率器件。

  除了提高硅功率器件产能，三菱电机半导体总经理赤田智史日前也向媒体透露，该公司另一大重点是碳化硅业务，今年三月，三菱电机公布了额外的投资计划，从2021年—2025年，投资金额约为20亿美元，较公司此前规划提高一倍，这笔增加的投资大部分将用于熊本的8英寸SiC新晶圆工厂，预计到2026年4月可以开始进行生产。