近年来，在环保要求提高和ESG等可持续发展理念受到重视的背景下，电动汽车、电网优化、工业自动化和新能源等领域受到广泛关注并迅速发展。无论是水电、核电、火电还是风电，大部分均无法直接使用，需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。功率半导体器件作为上述领域的关键技术之一，迎来了蓬勃的发展机遇。未来，随着全球对清洁能源和节能减排的重视程度不断提升，智能电网的建设以及太阳能和风能等可再生能源的大规模应用，功率半导体器件需求将持续火爆。

随着中国经济的持续增长和国家对半导体产业的大力支持，中国功率半导体企业在技术研发和市场拓展方面取得了长足的进步，部分本土企业已经取得了一系列的突破和创新成果。

芯闻路1号有幸专访国内功率半导体厂商瑞森半导体总经理刘志强先生，探讨中国本土半导体企业的发展以及瑞森半导体的业务发展。（瑞森半导体九维数据点击此处查看）
 

01

“国产替代是趋势”

近年来，半导体产业已成为全球各国争夺的战略制高点。作为信息产业的核心，半导体在现代经济社会发展和国家安全保障中具有战略、基础和先导性的地位。然而，中国获得海外先进半导体技术和设备受到限制，倒逼着中国加快半导体自主创新和发展的步伐。在谈到对功率半导体器件当前发展情况的看法时，刘志强先生坦言到“第三代半导体是未来的竞争核心”。第三代半导体以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表，在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显的优势 ，更适合于制作高温 、高频、抗辐射及大功率器件 。

“国产替代是趋势。中国是功率半导体器件消费大国，生产小国，国内自制率占比太低，国产替代空间巨大，任重道远。”作为一个极具民族意识和社会责任感的企业老板，刘志强先生对此表示将为此目标不断努力。

幸运的是，人工智能、5G、云计算等技术的日益成熟，下游各个产业的持续扩张，半导体行业迎来了重要机遇期。新兴市场的有力增长，为半导体行业提供了广泛的机会。而新能源汽车、光伏、风电、储能等应用对全球碳化硅器件的需求增大，这给中国本土半导体企业提供了重塑市场的发展机遇。

在国产化道路上，刘志强先生表示希望“万箭齐发”，希望能够呼吁更多的国产企业加入共绘“中国芯”的队伍，号召国内同行通过实际行动支持中国半导体产业发展，把国产化从一句口号落地成为现实。
 

02

“立志做中国的英飞凌”

逆势而上的背后是持续不断的敢想敢为。瑞森半导体作为一家国产半导体企业，骨子里是民族情怀，行动上是拼搏精神，对标国际功率半导体大厂英飞凌，在国产化的道路上大步跨跃。

瑞森半导体（REASUNOS）起步于2007年，2017年更名为“瑞森半导体”，2018年是一个重要的节点，在面临诸多困难之时，瑞森半导体仍决定投入大量的资金研发碳化硅MOS器件结构、工艺，至2019年瑞森半导体碳化硅产品系列，成功量产并陆续实现了全球销售，累计出货量突破5亿颗，并获得高新企业认定。

瑞森半导体自创立之初开始，就以国产替代为己任，专注于研发高品质及高性能的产品，市场定位高端，摒弃低价恶意竞争的捷径。“瑞森半导体立志做中国的英飞凌。即便面对重重阻力，我们始终坚信，道阻且长，行则将至。”

瑞森半导体 SiC功率器件、硅基MOS功率器件，性能对标英飞凌、Cree 、ST等企业，经过近10年市场验证，是众多企业选择国产替代的品牌。芯闻路1号问到可以替代哪些具体的型号时，瑞森表示其碳化硅肖特基二极管和超结MOS是比较热门，也是客户选择替代较多的，具体型号见下表。

具体的替代情况，可以在芯查查-查替代料功能板块自行比对。

03

“要做最好的功率半导体器件”

瑞森半导体不仅仅满足于实现国产替代，刘志强先生志存高远，立志“要做最好的功率半导体器件”。

目前瑞森半导体主打三条产品线，硅基功率器件，碳化硅基功率器件以及功率IC 。

硅基功率器件包括平面高压MOS，超结MOS，Trench低压MOS和SGT低压MOS, 产品涵盖20V-1500V全耐压段，可以满足各种不同应用场景。以平面高压MOS为例，目前国内产品在技术指标上存在的问题主要是高温（150℃）漏电大以及电磁辐射EMI难解决，产品质量上存在的问题主要是老化考核后产品击穿电压（BV）跌落，可靠性难以符合工业要求等问题。瑞森半导体高压MOS系列采用新型的横向变掺杂技术，以专有的功率MOS结构，高温特性优良，同时极大提升了产品的雪崩能量和抗浪涌能力。瑞森半导体超结MOS产品系列，均采用多层外延工艺制作，与传统的trench工艺相比，具有优异的抗EMI及抗浪涌能力，性能可媲美国际一线品牌。

碳化硅基功率器件包括碳化硅SBD和碳化硅MOSFET，产品涵盖650V-1200V-1700V，3300V产品系列在开发中；已实现全球销售，SiC 产品系列完全可实现国产替代。

电源管理IC采用的是1um 600V HVIC 高压浮栅工艺，整个系统电源采用CS-CP PPFC+ LLC (电流源电荷泵 +串联谐振)技术，是国内唯一一家可以单级方案做到400W的大功率，并持续量产出货；性能涵盖高PF、低THD、无频闪、高效率等优势的产品系列，其中效率超过94%，PF（功率因数）大于0.96，THD（总谐波失真）在5%以内，频闪系数<0.03（远远优于国标1.15的标准），产品可广泛应用于教育照明、家居照明、商业照明、学生书房灯、户外路灯、植物照明、投光灯、景观照明、体育场馆等。

刘志强先生对芯闻路1号说到，“我们的高PF无频闪LED驱动IC，方案整机效率94%、频闪系数以及THD等，将会引领行业标准的改变和制定。”

04

专注产品研发，不断寻求技术突破

近期更是实现了技术突破，上市了2款600V超结功率MOSFET，RSF60R070F、RSF60R026W各自具备核心优势，打破常规，为国内少有产品型号。

· 打破行业常规参数和尺寸，整体尺寸节约50%
市场上70mΩ的超结（SJ）MOSFET产品，芯片面积超出TO-220F载芯面积，常规均采用TO-247封装，瑞森半导体新产品RSF60R070F采用专有的晶胞结构和特殊工艺流程，进一步优化产品设计，在Rdson不变的情况下，有效减小芯片面积，满足TO-220F/TO-263等封装外形，从而大幅减少器件在PCB线路板上占用的空间（TO-220F与TO-247封装外形相比，整体尺寸节约50%），助力小型化产品的应用。
 

· 实现业内优势导通电阻20mΩ，导通电阻减少33%
目前市场上硅基超结MOS最小内阻为30mΩ左右，RSF60R026W优势显著，可实现超小内阻，低至20mΩ，导通电阻减少了33% ，提高了开关性能，进一步降低功率损耗，可以极大提升整机电源的转换效率。

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小 结

事实证明，瑞森半导体当初咬牙坚持渡过阵痛期是值得的，目前瑞森半导体的功率MOS产品品质广受客户好评，产品已远销海内外。瑞森半导体将始终遵循顺势而为、逆势而上、脚踏实地的发展策略，将愿景变成近景 。

未来，瑞森半导体将稳中求进，持续深耕新能源领域，扩大第三代半导体的布局，加大研发费用投入，加快产品体系发展及完善速度，在更高耐压、更大电流，模块化等方向以及SiC MOSFET、GaN HEMTs系列持续深耕研发。
 

小编题外话：

在芯闻路1号的采访中，刘志强先生流露出强烈的民族情怀、社会责任感与使命感。希望国内能出现越来越多有民族信念的企业家，打造越来越多有硬实力的民族品牌，吹响“中国芯”的号角，让国产芯片通行于国际。文至此处，小编已被至深至切的民族感点燃，不由浮想到李白的一句诗“长风破浪会有时，直挂云帆济沧海”，尽管国产替代之路困难重重，相信总有一天能乘风破浪，高挂云帆，奋勇前进，到达理想彼岸。