6月23日，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行了开工仪式。项目占地368亩，一期总投资60亿，产品覆盖宽禁带半导体功率器件和射频器件，立志在长三角地区打造集研发、设计、外延生长、芯片制造为一体的宽禁带半导体产业基地。

  参加开工仪式的嘉宾有吴江区副区长、汾湖高新区副书记吴琦，吴江区副区长戚振宇，国家开发银行苏州分行副行长吴宜帆，苏州吴江东方国有投资公司董事长顾焱，中国电科集团前副总经理，科技委副主任赵正平，中国半导体行业协会原执行副理事长、秘书长徐小田，中国电子工程设计院有限公司副总经理王立，投资机构代表和长三角地区半导体行业代表均莅临现场，共同见证英诺赛科这一重要时刻。

  开工仪式上，吴江区副区长吴琦表示，积极支持英诺赛科宽禁带半导体项目的建设，共同推进高端芯片的国产化。英诺赛科CEO孙在亨先生表示，将充分发挥团队的技术优势，坚持创新引领，将英诺赛科打造成为国际领先的半导体企业。

  英诺赛科苏州项目的开工，恰逢全球后摩尔时代的开端。作为后摩尔时代的主要技术代表，宽禁带半导体器件以其更大的禁带宽度、更强的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，展现出相对传统硅功率半导体器件的全面性能优势和大规模产业应用优势。

  创新引领时代，用芯点亮未来，英诺赛科，加油！