当前我国芯片产业90%仍依赖进口，每年进口芯片外汇支撑超过2000亿美元。
在过去五十年，硅材料芯片已经达到其理论极限，不能满足现代化建设对于高功率、低能耗芯片的要求。在科技强国的背景下，以氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料凭借其优异的特性得到世界各国的高度重视。我国对于氮化镓功率芯片的研究起步较晚，主要集中在科研机构，尚未有规模企业和产品。目前，硅基氮化镓半导体芯片市场基本被欧美日韩所垄断。
2017年6月4日，珠海卫视晚间新闻以“干在实处开新局，中国首条8英寸硅基氮化镓芯片生产线年底投产”为题，对英诺赛科（珠海）有限公司进行了报道。
记者采访了公司总经理孙在亨先生，深入了解公司技术背景与产品应用领域；并走访了公司研发与生产基地，实地了解施工建设情况和洁净厂房装修进度。
目前基地建设已进入收尾阶段，洁净厂房电力已经开通，温湿度达标，厂房达到试运行标准。氮化镓晶圆与芯片生产设备将从本月起陆续搬入、进行设备调试，预计在今年11月正式投产。投产后将成为中国首条8英寸硅基氮化镓芯片生产线，填补我国在这一领域的产业空白。
英诺赛科的核心业务涵盖了以第三代半导体氮化镓（GaN）为主的电力电子器件全产业链产品，全力打造中国首条8英寸硅基氮化镓芯片生产线。氮化镓产品预期将在未来十年全面取代硅材料芯片，广泛应用于5G通讯、电动汽车、机器人、IT与消费类电子、智能电网等领域。第三代半导体技术的应用还将催生我国多个领域，为世界科技带来一场新的变革。
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