2022年11月10-11日，由 ASPENCORE 举办的2022国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen）在深圳大中华国际交易广场隆重开启，英诺赛科许子俊先生受邀出席第24届高效电源管理及功率器件论坛，发表了主题为《氮化镓助力建设“绿色数据中心”》的演讲。 同时，凭借高频高效的性能及应用端的出色表现，英诺赛科 INN100W032A 产品脱颖而出，荣获2022全球电子成就奖-年度功率半导体功率器件荣誉。

 

GaN助力建设“绿色数据中心”

数字化浪潮，推动了21世纪人类社会的飞速发展，而人类在享用数字化便利的同时，也需要为新一代数据中心的建设与优化及时布局。 

IIC大会同期举办的 第24届高效电源管理及功率器件论坛 期间 ，英诺赛科市场部总监许子俊以 《英诺赛科氮化镓助力建设“绿色数据中心”》 为主题，介绍了氮化镓功率器件在数据中心的应用 。 

随着 数据中心能耗的不断增加，预计2030年数据中心的耗电量将达3000TWhr，相当于全球能耗的10%。 高功率密度服务器成为了建设高密度数据中心的关键 ，其核心优势在于： 

◆电源与风扇的共享设计 

◆更小的机体重量与空间占用 

◆更高的电源及散热系统的使用效率 

许子俊先生认为，要想满足未来社会对数据中心的功率需求，我们需要的不仅是数据中心供电架构的变革，还需要核心材料的迭代。因此，基于GaN开发的下一代数据中心供电系统将是大势所趋。 

为此，英诺赛科也设计了全链路GaN解决方案，涵盖AC-DC(PFC)、DC-DC(400V-48V)、DC-DC(48V-12V)、DC-DC(12V-1V)，为数据中心实现更高的效率、更高功率密度、更高的动态响应而助力。 

  未来，英诺赛科将继续不断升级、完善研发路线，以高频、高效、低能耗的产品和解决方案满足市场与客户不同的应用需求，推动“绿色数据中心”建设，助力高效电能的发展。
 

为高效系统而生：INN100W032A 

作为英诺赛科的明星产品，INN100W032A在AspenCore全球资深产业分析师评审团和亚、美、欧洲的网站用户群共同评选中脱颖而出，荣获IIC全球电子成就奖。 这不仅是行业对InnoGaN产品的认可，更是对英诺赛科在业内的领先地位和非凡表现予以肯定 。

 INN100W032A是一颗耐压100V，最大导通电阻3.2mΩ的氮化镓高电子迁移率晶体管 ，与导通电阻近似的Si MOSFET相比，其栅极电荷仅为Si MOSFET的20%，Ciss仅为Si MOSFET的40%，同时封装尺寸仅为3.5mm×2.13mm大小，与传统的DFN5×6相比，占板面积可以缩小75%。面向同步整流、高频DC-DC转换器等应用场景，具备高功效、低能耗、小尺寸等优势， 可广泛应用于电机驱动、Class D、数据中心、motor driver、通信基站等产品领域。 

关键性能参数 作为半导体行业的领先企业，我们将不断创新，探寻更多氮化镓在当前及未来市场的应用机会，充分发挥氮化镓高频高效的优势，并联手上下游企业，共创生态！