1月5日，以“开放创芯 协同共赢”为主题的2022琴珠澳集成电路产业促进峰会暨第十七届“中国芯”颁奖仪式在横琴凯悦酒店举行，并颁发了第十七届“中国芯”优秀产品及企业奖项，来自珠海高新区的6家企业荣获7项大奖，充分展现了高新区集成电路产业发展的最新技术和应用成果。
英诺赛科作为全球领先的硅基氮化镓IDM企业，拥有全球最大的氮化镓晶圆生产与制造基地，已向市场交付超1亿颗高压和低压氮化镓芯片。凭借卓越的产品性能及市场表现，英诺赛科INN040W048A功率芯片被评为第十七届“中国芯”优秀技术创新产品。
为高效系统而生
英诺赛科INN040W048A是一颗耐压40V，导阻4.8mΩ的增强型双向导通氮化镓功率器件，采用WLCSP 封装，尺寸仅2.1mmx2.1mm，十分小巧。利用一颗INN040W048A就能替换两颗Si MOS，在智能手机充电过压保护电路、高压侧负载开关电路、多电源系统的开关电路等应用场景中节省系统空间，降低系统能耗。
INN040W048A 双向导通氮化镓芯片
为终端应用护航
在市场应用上，INN040W048A是全球首款导入手机内部的GaN芯片，目前已应用于OPPO / Realme 智能手机的电池管理系统，大大节省了手机内部空间，降低发热峰值，实现了体积降低64%，峰值功率发热降低85%，保证手机在充电过程中更高效，更安全。
双向导通氮化镓平台是英诺赛科在行业中的首创，基于此平台的多款产品也将在2023年不断更新迭代，为极致高效的终端应用护航。
全部评论