为进一步提升数据中心模块电源、电机驱动、D类功率放大器、光伏逆变器及轻混电动汽车等48V电源系统的整体性能，英诺赛科推出高集成半桥驱动功率芯片：Solid GaN系列之100V半桥氮化镓功率芯片新品—ISG3201。

01  ISG3201  产品概述 

ISG3201 是一颗耐压 100V 的半桥氮化镓芯片，其内部集成了 2 颗 100V ，导阻 3.2mΩ 的增强型氮化镓和 1 颗 100V 半桥驱动，凭借内部集成驱动省器去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数；同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧 PWM 信号输入，并支持 TTL 电平驱动，可由专用控制器或通用 MCU 进行驱动控制。 英诺赛科产品设计高级总监田水林博士表示： “ISG320x 系列产品是英诺赛科主推的 100V 高功率密度 GaN 系列模块产品，该产品系列将半桥驱动和两颗 GaN HEMT 以及外围元器件高度集成，大大简化了电路设计。首发模块产品 ISG3201 面积（ 5x6.5 ）仅略大于单颗标准 5x6 Si 器件，有效减小了 PCB 板面积。优化的模块引脚设计显著减小了主功率寄生参数以及由此引起的电压尖峰，进一步提高了系统性能和可靠性。该系列产品是数据中心模块电源，电机驱动以及 D 类功率放大器等 48V 电源系统的最佳选择。 ” 

02  ISG3201   产品特性

  高集成半桥驱动：2颗100V增强型氮化镓及1颗100V半桥驱动

  耐压100V，导通电阻3.2mΩ

  60A持续电流能力

  零反向恢复

  5*6.5*1.08 mm封装

 03  ISG3201   产品优势  

  支持100V高边电压

  集成驱动简化外围电路

  大幅降低栅极和功率回路寄生电感

  减小占板面积73%（VS Si）

  提升系统效率及功率密度

  更大散热面积，有效降低温升

04  ISG3201   应用领域
 

  ISG3201简化了低压氮化镓芯片在48V以及更低电压系统中的应用，可便捷搭配多种控制器，满足多场景应用需求，有效提升系统效率、降低系统能耗。