台积电加码发力第三代半导体领域

台积电正在积极布局电动车、5G射频、人工智能（AI）、高性能运算（HPC）等新兴应用领域，拉动氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）等第三代宽能隙（WBG）半导体强劲需求。

去年台积电与IDM厂及IC设计业者合作，第一代硅基板氮化镓（GaN on Si）技术平台已完成并进一步强化，而正在开发中的第二代硅基板GaN技术平台预计今年内完成。

台积电锁定GaN市场并加快技术研发及产能布建，去年第一代650V的GaN增强型高电子移动率电晶体（E-HEMT）完成验证，进入全产能量产，市场已推出超过130款充电器。第二代650V和100V的E-HEMT的品质因素（FOM），皆较第一代提升50％，预计今年投入生产。100V的GaN空乏型高电子移动率电晶体（D-HEMT）已完成元件开发，预计年内投入生产。