三星半导体先进工艺量产进度传陷瓶颈，包括4纳米及3纳米工艺良率均不如预期，市场传出预计今年量产的3纳米工艺仅会提供给自家产品，认为将使晶圆代工大厂台积电有望进一步取得高通等国际大厂转单。

  韩媒Business Post报道，市场研究机构IC Knowledge指出，三星采用环绕闸极（GAA）晶体管架构的首代3纳米工艺（3GAE）因遭遇良率问题，预期今年将首先应用于生产自家尚未命名的Exynos处理器，明年才以第二代工艺（3GAP）替外部客户代工生产。

  而DIGITIMES及wccftech报道指出，三星的3纳米工艺试产良率仅达10～20％，4纳米工艺虽取得高通Snapdragon 8 Gen 1处理器订单，但该工艺良率亦仅30～35％，远逊于台积电相同工艺的70％。

  wccftech认为，三星4纳米工艺良率低于预期，可解释高通为何将Snapdragon 8 Gen 1和Snapdragon 8 Gen 1 Plus转单给台积电。若三星的第二代3纳米工艺良率未见明显提升，高通恐不得不将Snapdragon 8 Gen2订单全数转单台积电生产。

  台积电总裁魏哲家日前法说时透露，3纳米工艺将如期于下半年量产，2纳米工艺则预计2024年进入风险试产阶段、2025年量产。台积电3纳米工艺仍采用鳍式场效（FinFET）晶体管工艺架构，2纳米工艺才导入采用GAA晶体管架构。

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