高通（Qualcomm）传出将把3纳米工艺打造的Snapdragon 8 Gen2订单转至台积电（2330），主因在于三星先进工艺良率过低，外媒更指出，三星4纳米仅有三成五左右的良率，加上三星逻辑晶圆代工现有掌握专利数量仅是台积电的三分之一，成为台积电有望拿下大笔高通旗舰芯片订单的关键，显示台积电先进工艺技术大胜三星。

  业界传出，高通将把以3纳米工艺打造的Snapdragon 8 Gen2订单大幅转向在台积电投片，最快预期将在2022年底前开始进入量产阶段，量产地点将会在台积电的南科Fab 18超大型晶圆厂（GigaFab）的P5～P8厂。

  其中，主要原因在于三星良率工艺过低，外媒指出，三星以4纳米工艺打造的Exynos 2200处理器良率仅约35%。供应链指出，这明显低于台积电相同工艺的水平（70％），高通目前在三星投片的Snapdragon 8 Gen1旗舰芯片良率虽然有高通派驻高层进驻三星，但良率也仅比为三星自家打造的处理器高出一些，因此这是高通希望转单的原因之一。

  不仅如此，外媒报导，根据元大证券韩国公司调查，三星在晶圆制造的专利数量截至2020年底仅手握7000～1万个左右，远输台积电的3.5～3.7万个，且台积电2020年底拥有的IP数量相较10年前已经成长十倍。

  供应链指出，IC设计厂在晶圆代工厂投片时，晶圆代工厂若手中握有大量专利，有助于IC设计厂开发芯片流程，因此IC设计厂在选定晶圆厂除了会考虑良率、价格及交期之外，专利数量更是IC设计厂考虑的原因之一。

  据了解，台积电在进入16纳米以下的先进工艺后，除了持续稳定拿下苹果行动处理器（AP）订单之外，更开始加码拿下AMD、博通等大单，且随着联发科在手机芯片跟上先进工艺脚步后，同样交由台积电生产。

  另外，高通近年来也开始加大在台积电的生产数量，除了中低阶系列处理器之外，下半年将以4纳米工艺量产的Snapdragon 8 Gen1 Plus亦由台积电拿下，现在又有2022年将量产的Snapdragon 8 Gen2大单，业界认为，台积电在先进工艺发展大胜三星晶圆代工。

  家登通吃台积电、英特尔订单看到明年

  台积电扩大采用极紫外光（EUV）微影技术量产先进工艺，英特尔推进先进工艺并导入EUV微影技术，Intel 4（4纳米）及Intel 3（3纳米）将在2022年及2023年开始生产。法人指出，传载方案厂家登与台积电及英特尔合作多年，极紫外光光罩盒（EUV Pod）顺利打进两家半导体大厂供应链，订单能见度可望放眼到2023年。

  设备业者指出，家登EUV Pod已打进晶圆代工龙头及三大DRAM厂供应链，家登因为与英特尔有多年合作经验，英特尔资本（Intel Capital）曾投资过家登，此次英特尔在分析师大会中宣布今年开始启动EUV工艺量产，家登顺利成为英特尔EUV Pod供货商。

  家登不评论客户接单情况，但家登董事长邱铭干日前表示，随着中国台湾省及美国等半导体厂投入先进工艺扩产，并大举建置EUV产能，家登2022年EUV Pod出货将随着5纳米及3纳米等先进工艺产能开出而放量出货。

  台积电于2021年技术论坛中指出，以EUV曝光机的累计装机数量来看，到2020年已占全球总机台数量的一半，2021年到2022年拉高资本支出扩大5纳米及3纳米产能，EUV曝光机累计装机数量占全球总机台数量比重将持续过半，且3纳米EUV光罩层数较5纳米倍增，对于EUV Pod需求大幅增加，家登直接受惠。

  英特尔正在加快EUV技术布局，Intel 4工艺下半年进入量产，Intel 3工艺2022年下半年可开始生产。英特尔预计2024年完成Intel 20A（2纳米）及Intel 18A（1.8纳米）生产准备，并建置高数值孔径（High-NA）EUV产能，可望扩大对家登EUV Pod的采购力度。

  法人表示，家登已是全球EUV Pod最大供货商，全球市占率超过七成，中国台湾省及美国半导体大厂订单到手，随着EUV先进工艺开始量产，家登直接受益，EUV Pod出货量将在今年续创新高，订单能见度已可看到2023年。