据韩媒报道，Lam Research发布了支持下一代晶体管GAA（Gate-All-Around）结构的高选择性蚀刻产品系列，且该设备已经被引入三星电子最先进的3nm GAA工艺。据悉，该设备由Lam Research韩国生产基地负责生产。

  GAA结构与现有的FinFET结构相比，具有良好的电流控制能力和高功率效率。但是，其中的薄膜质量要求在工艺过程中不应变形或损坏因此需要非常高的技术，例如精密蚀刻和各向同性蚀刻（所有方向的蚀刻速率相同）。

  因此，Lam Research 开发了利用“高选择性”的蚀刻设备产品线。选择性是期望被蚀刻的材料X的蚀刻速率除以未被蚀刻的材料Y的蚀刻速率。选择比越大，根据需要进行的蚀刻越精确。Lam Research 的高选择性蚀刻解决方案提供了支持形成纳米片或纳米线等先进逻辑结构所需的超高选择性蚀刻技术，而不会影响薄膜质量。