2月10日BusinessKorea消息，三星电子将在2022年底推出具有200层以上的第八代NAND闪存。业内人士预测，三星已经通过 “双堆栈”的方式获得了256层的技术。

  预计三星电子将在2022年第一季度内开始批量生产第7代176层的NAND。原本计划在2021年底开始大规模生产176层NAND，但考虑到市场情况，三星决定将其推迟到2022年第一季度。此外，美国的美光科技已经开始了176层NAND的批量生产。

  三星电子将在2022年底或最迟在2023年上半年发布200层NAND芯片，并在明年上半年开始批量生产。

  用于绑定单元的孔越少，芯片丢失的数据就越少。因此，单层技术比双层技术更先进。然而，100层被认为是单层技术的技术极限。目前，三星电子是世界上唯一能够使用单层堆叠方法堆叠超过100层（128层）的芯片制造商。世界第二大NAND闪存生产商SK海力士和美国的美光科技一直在使用双堆叠技术堆叠72层甚至更多。

  由于三星电子可以在单层堆叠中堆叠超过100层，它将能够使用双堆叠技术堆叠超过200层。

  业内人士预测，三星电子将加快200层NAND闪存的量产，以夺回失去的对美光科技的技术领先地位。

  三星表示，“三星电子将成为第一家发布224层NAND闪存的芯片制造商，在128层单堆栈的基础上增加96层。与176层的芯片相比，224层的NAND闪存可以提高生产力和数据传输速度30%。”

  预计美光还将加速开发200层以上的NAND芯片。由于美光在2021年底在全球首次量产了176层的NAND闪存，行业观察人士认为，该公司拥有大规模生产超高密度NAND闪存的技术。

  SK海力士也在加快开发具有200层以上的超高密度NAND闪存。它们可能会在明年上半年问世。

  应用于目前批量生产的NAND闪存的最先进堆叠技术现在是128层。三星电子和SK海力士正在销售基于128层NAND闪存的固态驱动器（SSD）。

图片来源：美联社