1月 10日，法国半导体材料商 Soitec 宣布携手新加坡科技研究局 A*STAR下属的全球性研究机构微电子研究所IME共同开发用于电动车及高压电子产品的SiC。 

  根据合作协议，双方将充分利用Soitec的Smart Cut™等专有技术，结合IME的8英寸SiC试产线制备200mm SiC衬底。

Source：拍信网 

  据悉，IME建设的8英寸SiC试产线目的是在实现8英寸产品量产前，对8英寸制造工艺和设备进行验证。与此同时，该项目旨在对SiC MOSFET创新工艺及Smart Cut™ SiC等材料开展应用研发，为制造下一代SiC奠定基础。

  Soitec表示，本次合作研究将有助于开发出全面的SiC生态系统，并提升新加坡及法国当地的半导体制造能力，双方的联合研究预计持续到2024年中，目标成果包括两个方面。

  一是为Smart Cut™ SiC衬底开发SiC外延及MOSFET，以制造出更高品质的晶体管，并在制程期间降低缺陷率、提升良率。二是为基于Smart Cut™ SiC衬底制备的SiC功率MOSFET器件建立一个基准，同时展示出该工艺相比传统大衬底工艺的优势。

  Soitec表示，SiC材料发展潜力巨大，而先进的外延解决方案有助于生产出具备各种能效特性的高质量SiC 晶圆，本次Soitec与IMEC的合作也将为发展高端外延解决方案铺路。  

  据介绍，Soitec致力于为智能手机、平板、电脑、IT服务器、数据中心及电子元件（用于汽车、联网器件、工业设备、医疗设备）等诸多领域的芯片提供产品。

  2021年11月以来，Soitec在SiC领域大动作连连。  

  一方面，Soitec宣布收购了SiC晶圆抛光和回收公司NOVASiC，旨在结合Smart Cut™工艺，用多晶SiC衬底来提高单晶供体SiC衬底的重复使用率、良率及性能。

  另一方面，Soitec又携手全球电力和先进材料领域专家美尔森（MERSEN），目标是共同为电动汽车市场开发多晶碳化硅（poly-SiC）系列衬底。

  可以看到，加上此次与全球性研究机构微电子研究所IME达成战略合作，Soitec在SiC领域的合作伙伴矩阵进一步扩大，有助于其持续向SiC领先企业转型。未来，通过融合各方在不同领域的强项技术和优势资源，Soitec可望在SiC领域提升知名度和市场影响力，同时助推高质量SiC在电动车等应用领域的大规模商用化。（文：化合物半导体市场 Jenny）