90纳米碳基集成电路可实现28nm硅基技术性能，性能功耗综合优势比硅基提升1000倍，关键工艺通过验收，元芯碳基和北京大学等合作产学研一体化，90nm碳基工艺先导线在建。
碳基集成电路是潜在的硅基半导体技术的挑战者，虽然目前存在材料、工艺、设备等诸多难点，但是我国科学家正在努力攻关相关的技术。
北京元芯碳基集成电路研究院的介绍看，已经在建设碳基半导体的90纳米工艺先导线 。目前已经研发8英寸碳管阵列薄膜材料，90纳米技术节点工艺，可应用于对能耗要求极苛刻的高频射频器件、高灵敏气体和生物传感芯片、辐照免疫器件和电路等等。而接下来的难点就是如何实现碳基CMOS集成电路来制作CPU等通用处理器。
（图片来源于元芯碳基官网）
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