11月30日消息，据外媒报道，日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出利用人工智能（AI）高精度制造新一代半导体使用的碳化硅（SiC）结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一，提高半导体生产的成品率。该初创企业于2021年6月成立，计划2022年销售样品，2025年实现量产。
据介绍，采用SiC基板的半导体已在美国特斯拉部分主打纯电动汽车“Model 3”中负责马达控制等的逆变器上使用，丰田也在2020年底推出的燃料电池车“MIRAI”的新款车上采用电装生产的SiC。
日本开发高精度制造半导体碳化硅的技术
来源： 芯闻路1号 2021-11-30 15:04:10
本文资讯来源互联网，版权归原作者所有，内容仅代表作者本人观点，不代表芯查查APP的立场。如有任何疑问或需要删除，请联系xinchacha@xcc.com
全部评论