世界上最大的代工厂台积电，预计将从明年开始生产2纳米产品。如果是这样，三星电子要追赶台积电可能会变得更加困难。三星电子正计划在明年启动3纳米GAA芯片的量产。

中国台湾省的环境审查委员会于7月28日批准了台积电的2纳米芯片生产的新建设计划。这座占地50英亩的工厂计划建在新竹工业园区，预计将在2024年达到商业生产。台积电正在考虑在亚利桑那州也建造同样的工厂，并计划在明年生产3纳米和4纳米产品。

"台积电在5纳米和7纳米工艺技术商业化方面已经超过了三星电子，现在差距正在扩大，因为台积电正在加速生产更先进的芯片，并提高其资本支出，"一位业内人士说，"台积电还在台湾省建设测试生产设施，以确保2纳米产量达到一定水平。"

而另一方面，7月26日，英特尔宣布将在2024年和2025年分别达到2纳米和1.8纳米的水平。英特尔在今年3月宣布重新进入全球代工市场，截至目前，其微加工工艺技术已达到7纳米水平。

这使得三星电子在台积电和英特尔之间陷入两难境地。

然而，三星电子还没有最终确定其投资计划，尽管它已经开发了2纳米芯片。三星电子表示，计划明年生产3纳米GAA产品，2023年生产更先进的3纳米GAA产品，三星电子也尚未决定在哪里建立其新的美国代工厂。该公司今年5月宣布，它将以170亿美元的投资建设该代工厂。