5G网络技成为当下最新的商用网络通信技术，凭借网络运行速率以及较低的延迟性，使得许多曾经停留在纸面上的东西得以转变为现实，物联网时代也将因为5G而正式开启。而我国华为凭借3100多项关键专利技术名列世界五大5G设备供应商之首，加上中兴同样在5G通信上取得了卓越成就，使得我国在互联网技术上得以成功反超，成为引领世界的存在。

然而对于我国的领先，漂亮国是无比介怀，在这个科技为第一生产力的时代里，想要实现自己称霸全球的梦想，漂亮国就必须在各方面占据第一，更不要说身处核心地位的互联网技术了。因此2019年年中开始，漂亮国便对华为等企业进行了一系列打压措施。在前期无果后，漂亮国发现我国基础工业方面的薄弱，从芯片制造入手，成功给华为和整个中国科技行业带来了巨大危机。

面对漂亮国在芯片制造领域的重重封锁，我国毅然决然地走上了自研之路，开始竭尽全力攻破芯片难题，从而改变世界半导体市场。对此，比尔盖茨预言道，漂亮国此举将彻底葬送多年来在半导体的领导地位，中国将借此机会顺利崛起。如今看来，比尔盖茨预言中的结果已经越来越近了。光源、光刻胶、蚀刻机全突破！中国的“EUV光刻机”不远了。

自我国开始全面攻克芯片制造问题时，所有相关机构和企业便全力以赴。在这种状态下，我国芯片界频频传来好消息，中国芯的速度被一次又一次提速。比如之前相关科研人员顺利发布的碳基芯片，将成为解决硅基芯片发展极限的关键所在。有些公司成功购入由ASML公司制造的光刻机，虽然不是最顶尖的极紫外光刻机，制造水平处于中低端，但还是给我国芯片研发带来了不少的帮助。而如今，我国芯片界再度传来了好消息。其中最令人振奋的就是光刻机光源问题的突破了。

光源是光刻机的主体所在，也是工艺水平的重要区分点。前不久，清华大学成功找到了一种SSMB光源。据悉，SSMB是一种高功率、高重频、窄带宽的相干辐射，其波长可以覆盖到从太赫兹到极紫外，从而得以顺利完成高端工艺芯片的制造。当下的中芯国际就已经成功实现了14nm的量产，而7nm等高工艺芯片技术的研发中，最主要的就是光刻机，如今也获得了重大突破。

而且需要说明的是，我们这次不仅仅是突破，更是顺利逆袭。极紫外光源技术主要掌握在漂亮国和德国手中，但他们的解决方案却存在着稳定性差和寿命短的缺陷，使得制造成本居高不下。但此次清华大学发现的SSMB光源很好地解决了这一问题，甚至可以说是推动了世界光刻机的发展。

同时被日本所垄断的光刻胶也获得重大突破。相关消息显示，南大光电所已经顺利研发出ArF（193nm）光刻胶，是7nm芯片制造中最重要的材料之一。而且此次南大光电的ArF更是成功达到了领先水平，成功弥补我国空白。

而除了在光刻机技术上有重大突破外，我国蚀刻机也获得了重大成果。蚀刻机与光刻机在芯片制造中属于相辅相成的关系，一个用于“蚀”，另一个用于“刻”。在尹志尧的带领下，已经成功实现了5nm技术。当下，其所在的中微半导体更是已经和台积电展开了深度合作，得到国际上的一致认可。光源、光刻胶、蚀刻机全都获得突破，中国是不是离EUV光刻机不远了。

中国速度！光刻机3大重要部件，获得突破，除此之外在芯片制造生产过程中有着重要作用的“离子注入机”设备也已经被我国成功攻破。中国电子科技集团正式公布，目前离子注入机的全谱系都顺利实现了国产化。其中包括中束流、大束流、高能、特种应用以及第三代半导体等离子注入机等。目前所生产出来的离子注入机工艺段可以成功覆盖到28nm，虽然比不上5nm这么先进，但也是从无到有的重大突破。既然迈出了最艰难的第一步，之后也毕竟更加容易。

面对中国芯的进展，许多外媒震惊了，纷纷感叹我国取得的这一切成果的速度太快了。按照这个速度发展下去，2035年之前，“东方芯港”毕竟会顺利问世，惊羡所有人的眼球。

当然了，尽管捷报频传，但我们需要知道的是，我国在芯片生产制造的诸多技术层面依然位于零，依然被漂亮国等发达国家牢牢地封锁着。而且这些技术的突破必将更加艰难。不过不论困难程度如何，最后的胜利一定属于我们。