三星上月底发布了 2017 年 Q1 季度财报，营收只增加 1.5%的情况下净利润大增 46%，其中贡献最多的就是闪存芯片部门，也就是 DRAM 内存和 NAND 闪存。时至今日，DRAM、NAND 闪存缺货、涨价的情况都没有缓解，现在还是供不应求，好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投资力度提升产能，其中三星也要斥资 26.4 亿美元扩产 Line 17 工厂，下半年加速 10nm 级 DRAM 内存生产。

 

三星前不久才宣布了全球最大的半导体工厂平泽工厂竣工，那个是针对 NAND 闪存的，主力产品将是 64 层堆栈的 3D NAND 闪存。而在 DRAM 领域，三星也有新的投资计划，韩国 ETNews 报道称三星已经通知设备供应商要扩大韩国华城市（Hwasung）的 Line 17 工厂，预计投资在 2.5 万亿到 3 万亿韩元之间，约合 22-26.4 亿美元。

 

以 300mm 晶圆计算，扩建之后每月产能将提升 3.5 万片晶圆，目前的产能约为 4 万片晶圆 / 月。

 

三星这次扩展 Line 17 工厂产能的主力产品是 10nm 级 DRAM 内存，预计下半年加速生产。注意这里说的是 10nm-Class，目前来说应该是 18nm 工艺的产品了，三星去年宣布量产 18nm 工艺，之后还会陆续推出 17nm、16nm 工艺的 DRAM 芯片。

 

PS：三星投资扩大 DRAM 产能是件好事，考虑到他们是全球最大的 DRAM 供应商，三星此举有助于推动 DRAM 市场供应平衡，虽然说 DRAM 再度降价还是很遥远的事。另外，随着紫光公司巨资建设晶圆厂，国内厂商介入 NAND、DRAM 领域也为期不远了，尽管他们与三星、SK Hynix 等巨头还有很大差距，不过这对市场来说是个利好，多点竞争总是好事。