存储器市场持续飞涨，带动存储器大厂增加投资。2018年上半SK海力士(SK Hynix)投资规模年增约1倍，三星电子(Samsung Electronics)也增加投资约1兆韩元(约合8.9亿美元)，且三星电子以逼近9兆韩元（约合80亿美元）的研发投入刷新韩国纪录。
据韩媒News 1报导，2018年上半三星电子半导体部门进行13.34兆韩元（约合118亿美元）投资，比2017年同期增加约1兆韩元；SK海力士则进行8.10兆韩元（约合71.6亿美元）投资，几乎是2017年同期(4.97兆韩元)的两倍。
受惠于市场景气成长带动，三星电子半导体部门营业利益从2017年上半14.34兆韩元（约合127亿美元）飙升到2018年上半23.16兆韩元（约合205亿美元），增加近10兆韩元（约合88.5亿美元），同期SK海力士营业利益也由5.52兆韩元（约合49亿美元）增加到9.94兆韩元（约合88亿美元）。
三星电子在第2季法说会中表示，投资用在扩增影像传感器产能，华城DRAM 11产线将转换为生产影像传感器，目标2019年上半启动量产，扩产规模会视客户需求做弹性调整。
SK海力士表示，清州M15工厂将在2018年下半完工，2018年下半的投资规模至少会有2018年上半的水平；2019年也会对无锡工厂进行设备投资，持续扩大产能。
另据韩媒ET News报导，三星电子在2018年上半投入的研发经费达到历史新高，金额为8.78兆韩元。相较于2011年研发投入约4兆韩元，2012年约5兆韩元，2013~2017每年上半维持7兆韩元水平，2018年上半首次突破8兆韩元。
三星电子2017年投入约16.81兆韩元进行研发，是韩国业界单一年度最高研发支出。进入2018年才统计至第2季，研发经费已逼近9兆韩元，业界认为纪录可望再度更新。
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