面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
第五代V-NAND作为3D NAND闪存的一种，相比于现在主力量产的第四代V-NAND，有全面的提升。堆栈数提升到了90层，首发支持Toggle DDR 4.0接口，传输速度提高40%达到1.4Gbps。
在工作电压从1.8V降低到了1.2V的同时，第五代V-NAND的写入速度将是目前最快的，只有500us，读取速度也提升到了50us。
此外，新一代的V-NAND闪存在制造工业也有的提升，制造效率将提升30%，而且还降低了每个闪存单元的高度，减少单元之间的窜扰，提高数据处理效率。
从官方消息看，新一代V-NAND闪存后续准备推出QLC类型的颗粒。需要注意的是虽然容量变大，但是比起如台电NP800所使用的TLC颗粒，QLC颗粒的寿命将会有相当程度上的减少，如果没有主控算法支持，掉速情况会比较严重。
总的来说，新一代的V-NAND颗粒速度更快，功耗更低，产量更大，价格更低，性能更强。但是现阶段的TLC类型闪存，以及后续的1TB版本和QLC类型的闪存很大程度也并不会马上进入消费者市场，但是肯定会推动消费级SSD的低廉化进程。
考虑到目前消费级市场在性价比道路上越走越远，QLC颗粒已经在消费级市场门口跃跃欲试，趁现在囤点SSD貌似有其必要性，台电NP800消费级性价比之选可以了解一下喔~
全部评论