格罗方德推12纳米FD-SOI工艺，FDX平台吸引力与限制各在何处？
9 月 8 日格罗方德（GlobalFoundries）公布了全新的 12 纳米全耗尽平面晶体管（FD-SOI）工艺平台 12FDX，该平台性能媲美 10 纳米 FinFET 工艺，功耗和成本却低于 16 纳米 FinFET 工艺。根据格罗方德提供的数据，12FDX 的性能将比现在最先进的 16/14 纳米工艺提升 15%，而功耗则省了一半。结合此前推出的 22FDX，格罗方德如今成为全球首家具备
格罗方德
-- . 2016-09-09 1070
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