铭镓半导体4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
12 月 9 日消息，北京铭镓半导体有限公司近期使用导模法成功制备了高质量 4 英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了 4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为掌握第四代半导体氧化镓材料 4 英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。 据晶片测试分析，其结晶质量和加工技术也保持在产品级标准。劳厄测试衍射斑点清晰、对称，说明晶体单晶性良好，无孪晶，X
晶圆
芯闻路1号 . 2022-12-11 2 1325
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