• 圆钢透热炉功率低的原因

    圆钢透热炉是目前加热圆钢的主要感应加热设备,在使用中会遇到,圆钢透热炉运行一切正常,就是运行功率很低、加热速度很慢,造成加热时间延长,氧化皮很多且能耗过高。这究竟是什么原因造成的呢?针对这个问题,海山机电小编谈谈自己的一点想法,和大家一起探讨圆钢透热炉功率低的原因。 1、首先,要检查圆钢透热炉 的进线电压、直流电压和中频电压这几个数值是否合理,他们之间的比值是否恰当,原则上直流电压与进线电压比值在

    可控硅

    海山中频人 . 2021-06-26 693

  • 中子嬗变掺杂

    前面我们提到了常见的两种掺杂方式:扩散和离子注入。今天我们来聊一聊两外一种掺杂方式——中子嬗变掺杂(NTD,Neutron Transmutation Dopin)   名字听起来就很高端,首先我们来看一下什么是嬗变(shàn biàn)。   嬗变:指一种元素通过核反应转变为另一种元素。再结合掺杂(是将一定数量的杂质掺入到半导体材料的工艺,是为了改变半导体材料的电学特性,从而得到所需的电学参数)

    功率器件

    -- . 2020-07-06 1810

  • 声光控灯座的电路原理图

      声光控灯座的电路原理图一般如图所示,驻极体话筒MIC接收到声波信号后,通过9013三极管放大及四2输入与非门CD4011的整形、延时等处理后,由U1D输出一个高电平信号,使单向可控硅BT169导通,这样白炽灯泡LAMP便会通过4个1N4007二极管及BT169的A、K两极构成回路而点亮。   这个电路中由于所用的单向可控硅BT169的功率较小,其最大工作电流只有0.8A(耐压值为400V),若

    声光控

    电工之家 . 2020-05-01 740

  • 可控硅(晶闸管)原理图及可控硅工作原理分析

    可控硅(晶闸管)原理图 可控硅T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成可控硅的主电路,可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接,组成可控硅的控制电路。 从可控硅的内部分析工作过程:可控硅是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2    当可控硅承受正向阳极电压时,为使可控硅导铜,必须使

    电路

    工程师李察 . 2019-05-11 1060

  • Intel展示首款40万兆硅光子收发器:四束激光 24nm工艺

    Intel日前发布了旗下首款100G 10万兆网卡,当然这远不是重点,现在Intel又借助硅光子技术冲到了400G,也就是40万兆,证明了采用硅光子技术实现超高速网络的可行性,在传统技术之外开辟了新路。 这次Intel拿出的是一个400G硅光子收发器,通过半导体激光和IC集成电路融合在一起,四束激光各有100Gbps的速度,网络协议则全面支持Ethernet、InfiniBand、OmniPath

    可控硅

    YXQ . 2019-04-19 685

  • 基于DU8608可控硅调光LED驱动方案

      1.引言   LED照明经过发展后,由于本身具有绿色、节能、高效的特点,已逐渐开始替代白炽灯荧光灯等传统照明光源,成为21世纪的新一代照明光源。现阶段市场上存在的LED调光方案有可控硅调光、脉宽调制调光、分段式开关调光等。由于可控硅调光与白炽灯荧光灯的紧密结合性,使其在市场上占据主要地位。脉宽调制由于无法兼容可控硅引线,通常只能应用于调光型台灯,而分段式开关调光无法实现连续调光。综上所述,本文

    DU8608

    电子技术设计网 . 2013-09-24 1215