9月21日，银河微电公告称，公司拟以自有或自筹资金投资10.78亿元实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”。该项目系公司已披露的“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”的延续，主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。
项目预计2027年1月开工，整体建设周期3年，资金投入将按照整体规划、分步实施的节奏推进，后续会结合市场需求、客户验证进度动态调整投入规模。
根据公告披露，项目规划产品聚焦SGT MOS、超结MOS、IGBT模块、SiC器件、GaN器件、IPM智能功率模块以及车规级防护器件等品类，产品需要通过AEC-Q101车规可靠性认证，面向新能源汽车、储能、工业自动化等高门槛应用场景。公告写明，这批第三代半导体与高端功率器件主打低损耗、高可靠性、长寿命特性，区别于传统消费类小信号二极管与普通低压平面器件。
公开资料显示，#银河微电 主营分立器件，产品覆盖二极管、三极管、MOSFET等品类，广泛应用于消费电子、工业、汽车电子等领域。本次大额投资落地，将扩充公司第三代半导体与高端功率器件的产能，补齐车规级SiC、GaN器件的制造能力。
公告中提及，当前国内新能源、储能等赛道带动功率半导体需求持续增长，高端车规分立器件、第三代半导体器件供给存在缺口。公司现有产能以常规分立器件为主，本项目投产后，将用于承接工业、新能源车领域的高端器件订单，完善功率器件产品矩阵。截至公告披露，项目尚未确定具体的产能释放节点，产品量产节奏将跟随客户认证进度推进。
全部评论