企业 | 长鑫科技7月16日启动申购

长鑫科技集团股份有限公司披露科创板上市招股意向书及《发行安排及初步询价公告》，正式启动科创板IPO 发行程序。公告显示，公司新股网下申购日和网上申购日均定为 2026 年 7 月 16 日。长鑫科技的证券代码及网下申购代码为“688825”，网上申购代码为“787825”。

本次拟初始公开发行股票668,808.8608 万股，占发行后总股本的比例约为 10.00%（超额配售选择权行使前）。发行后总股本为 6,688,088.6077 万股（超额配售选择权行使前）。发行人授予联席保荐人（联席主承销商）中国国际金融股份有限公司不超过初始发行股份数量 15.00% 的超额配售选择权，若全额行使，发行总股数将扩大至 769,130.1608 万股，占发行后总股本的比例约为 11.33%。

联席保荐人（联席主承销商）为中国国际金融股份有限公司和中信建投证券股份有限公司，联席主承销商还包括国泰海通证券股份有限公司、国元证券股份有限公司、华泰联合证券有限责任公司和招商证券股份有限公司。本次发行采用向参与战略配售的投资者定向配售、网下向符合条件的投资者询价配售与网上向持有上海市场非限售A 股股份和非限售存托凭证市值的社会公众投资者定价发行相结合的方式进行。

初始战略配售数量为334,404.4304 万股，占拟发行数量的 50.00%；网下初始发行数量为 267,523.5804 万股；网上初始发行数量为 66,880.8500 万股。初步询价日为2026 年 7 月 13 日，发行公告将于 7 月 15 日刊登，网上申购时间为 7 月 16 日 9:30 至 11:30 及 13:00 至 15:00，网下缴款及网上缴款截止日均为 7 月 20 日。

长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

根据Omdia的数据，基于销售额测算，2025年三星电子、SK海力士和美光科技在全球DRAM市场的占有率分别为33.96%、34.48%和23.41%，上述三家企业合计占全球DRAM市场90%以上的市场份额。近年来，国产DRAM厂商里长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营。

基于Omdia数据测算，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至7.67%，并有望随着技术发展及产能建设实现进一步增长。业绩方面，今年一季度，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归属于母公司所有者的净利润247.62亿元，同比增长1688.3%。公司一季度业绩大幅增长主要得益于DRAM产品价格的快速上涨。

拟募资295亿元，投向产能与技术研发

本次发行拟募资295亿元，创科创板IPO拟募资额之最。募集资金扣除发行费用后计划投入三个项目：75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造，130亿元用于DRAM存储器技术升级，90亿元用于前瞻技术研究与开发。

这一规模使长鑫科技成为科创板历史上仅次于中芯国际的第二大IPO。中芯国际当年拟募资200亿元，实际募资达532.3亿元。2023年度、2024年度扣非归母净利润分别为-167.52亿元和-78.70亿元，连续两年深度亏损。2025年扣非归母净利润转正至53.16亿元，全年营收617.99亿元。进入2026年，业绩开始爆发。一季度实现营收508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比增长1688.3%。公司预计2026年上半年营收1100亿至1200亿元，同比增长612%至677%；归母净利润500亿至570亿元。业绩暴增的直接驱动力是DRAM产品价格快速上涨。

2026年第一季度，DRAM合约价环比飙升93%至98%。行业研究机构SemiAnalysis报告显示，长鑫一季度营业利润率达70%，同期SK海力士为73%，三星81%，美光84%。

全球第四的DRAM厂商，产能逼近美光

长鑫科技成立于2016年，总部位于安徽合肥，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。目前在合肥、北京两地拥有三座12英寸DRAM晶圆厂，月产能约28至30万片。

公司采取"跳代研发"策略，已完成第一代至第四代工艺技术平台量产，产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X。创始人朱一明此前创立兆易创新，后者也持有长鑫科技部分股权。

根据Omdia数据，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技全球市场份额已增至7.67%，位居全球第四。三星、SK海力士、美光分别占据33.96%、34.48%和23.41%，三家合计超过90%。SemiAnalysis预测，到2026年底长鑫产能有望接近甚至超越美光，2028年全球份额将提升至17%左右。

客户层面，长鑫已与腾讯签署超200亿元长期供货协议，阿里云、字节跳动、联想、小米均为主要客户。消费端方面，搭载长鑫颗粒的内存已进入美商海盗船产品线，微星也为其AM5平台主板推送了兼容性优化BIOS。

AI需求驱动存储景气周期，长鑫卡位供需缺口

本次IPO的行业背景是AI算力需求对存储产业链的强力拉动。单台AI服务器DRAM用量是传统服务器的8至10倍，服务器已取代手机成为存储第一大需求场景。三大海外原厂将80%以上先进产能转向HBM和高端DDR5，通用DRAM供给被严重挤压。

瑞银7月5日报告预计，DRAM行业供需紧张局面将至少持续至2028年上半年。IDC预测2026年全球DRAM市场营收达4186亿美元，同比增长177%。海外原厂聚焦高附加值服务器产品，需求外溢为长鑫打开了企业级和消费级窗口。国联民生证券指出，长鑫科技现有产能已接近满产，中长期多基地推进布局，IPO募资295亿元启动大规模扩产，后续扩产增量空间大。扩产资本开支将沿产线建设节奏逐级传导：第一阶段前道设备招标采购，刻蚀、薄膜沉积等核心设备率先受益；第二阶段订单向上游零部件传导；第三阶段产线爬坡后材料耗材需求持续放量。

长鑫科技也在加速布局高端存储。公司已启动HBM3送样和小批量试产，规划2028年配套产线月产10万片。上海新工厂主攻高端DDR5、LPDDR5X及HBM3，规划月产能40至60万片。不过，HBM对先进封装和TSV技术要求极高，长鑫与国际领先水平仍存在差距，良率爬坡和周期下行风险仍是需要关注的不确定因素。