近年来，在能源领域和工业设备领域，电力设备的高压化与半导体的高速化进程持续推进。例如，EV充电领域800V系统、BESS领域1,500V级系统的导入正在不断扩大。展望未来，2,000V级系统的过渡也在预期之中。
株式会社村田制作所开发了适用于高压设备的高绝缘栅极驱动电源模块“MGJ1T系列”，并已开始量产。本产品同时具备高绝缘性（6kV DC）与低绝缘电容（2.5pF）。在储能系统（ESS／BESS）、新一代电力变换系统（SST）、EV充电基础设施、工业电机驱动等高压环境中，均可为栅极驱动电路稳定供电。
能源领域和工业设备应用领域——无论是储存电力并在需要时供电的储能系统（ESS，Energy Storage System），还是采用蓄电池的储能系统（BESS，Battery Energy Storage System），或者通过采用功率半导体的电力变换技术、实现电压变换和电力控制的新一代电力变换系统SST（Solid-State Transformer）——逆变器电路开始采用SiC等新一代功率半导体，通过高速开关动作实现优效电力变换。碳化硅等功率半导体材料替代硅材料，适用于电力设备的优效化及高速动作。
另一方面，在高压且高速开关环境下会产生噪声，因此控制半导体的栅极驱动电路需要不易受噪声影响的绝缘电源。然而，在传统绝缘型电源模块中，为确保较高的绝缘耐压而设计绝缘结构时，绝缘电容往往会随之增大，导致高频噪声较易传递，如何同时实现高绝缘性与低噪声传递特性一直是一项课题。尤其是在采用SiC功率半导体的高速开关电路中，会产生较大噪声，因此需要在预防栅极驱动电路误动作的同时，确保其在高耐压环境下长期稳定运行。
为此，村田通过自有的块状线圈变压器技术与模塑技术，开发了同时具备高绝缘性与低绝缘电容的MGJ1T系列。
主要特点
同时具备6kV DC高绝缘性能与2.5pF低绝缘电容：在具备6kV DC高绝缘性能的同时，将绝缘电容控制在2.5pF的较低水平，从而降低经由绝缘部分传递的高频噪声。。
高可靠性设计：支持-40℃至+115℃的宽工作温度范围。
小型SMD封装：采用小型SMD（表面贴装）封装，支持编带包装，可兼容自动贴装。适合高密度基板设计。
MGJ1T系列具备6kV DC的高绝缘性能，并将绝缘电容控制在2.5pF的较低水平，从而降低经由绝缘部分传递的高频噪声。
此外，通过将表征对急剧电压变化耐受能力的CMTI共模瞬态抗扰度）设定为200kV/µs以上，即使在采用SiC功率半导体的高速开关电路中，也可实现栅极驱动电路的稳定动作。CMTI表示电路对急剧电压变化所引起的噪声的耐受能力的指标，由此，该新产品有助于增进能源基础设施及工业设备中逆变器的可靠性。
主要规格
| 产品名称 | MGJ1T系列 |
| 输出功率 | 1W |
| 绝缘耐压 | 6kV DC |
| 输入电压 | 12V / 15V / 24V |
| 输出电压 | +15V / -3V、+15V / -5V、+18V / -2.5V |
| 绝缘电容 | 2.5pF（典型值） |
| CMTI | 200kV/µs以上 |
| 工作温度范围 | -40℃～+115℃ |
| 安全规格 | UL62368-1 |
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