NDS9435A与VBA2333参数对比报告

来源: 微碧半导体 作者:微碧VBsemi 2026-07-09 09:46:00
P沟道功率MOSFET参数对比分析报告:NDS9435A与VBA2333

P沟道功率MOSFET参数对比分析报告:NDS9435A与VBA2333

一、产品概述

 

NDS9435A:安森美(onsemi,原仙童 Fairchild)P沟道 PowerTrench® MOSFET,耐压-30V,具有极低的导通电阻和低栅极电荷,采用先进的沟槽技术。封装:SO-8。适用于电源管理、负载开关和电池保护等应用。

 

VBA2333:VBsemi P沟道-30V 沟槽(Trench)功率MOSFET,低导通电阻,符合RoHS及无卤素标准。封装:SO-8。适用于需要高效率的电源管理及开关应用。

 

二、绝对最大额定值对比

 

参数

 

符号

 

NDS9435A

 

VBA2333

 

单位

 

漏-源电压

 

VDSS

 

-30

 

-30

 

V

 

栅-源电压

 

VGSS

 

±25

 

±20

 

V

 

连续漏极电流 (TA=25°C)

 

ID

 

-5.3

 

-5.8

 

A

 

脉冲漏极电流

 

IDM

 

-50

 

-30

 

A

 

最大功率耗散 (TA=25°C)

 

PD

 

2.5 (1in²铜箔)

 

2.5

 

W

 

沟道/结温

 

Tch/TJ

 

+175

 

+150

 

°C

 

存储温度范围

 

Tstg

 

-55 ~ +175

 

-55 ~ +150

 

°C

 

雪崩能量(单脉冲)

 

EAS

 

未提供

 

未提供

 

mJ

 

雪崩电流

 

IAV

 

未提供

 

未提供

 

A

 

分析:两款器件耐压等级相同(-30V)。NDS9435A 具有更高的脉冲电流能力(-50A vs -30A)和更高的最大结温(175°C vs 150°C),在过载和高温环境下可能更具裕量。VBA2333 在TA=25°C下的连续电流额定值略高(-5.8A vs -5.3A)。两者最大功率耗散额定值相同。

 

三、电特性参数对比

 

3.1 导通特性

 

参数

 

符号

 

NDS9435A

 

VBA2333

 

单位

 

漏-源击穿电压

 

V(BR)DSS

 

-30 (最小)

 

-30 (最小)

 

V

 

栅极阈值电压

 

VGS(th)

 

-1 ~ -3

 

-0.7 ~ -2.0

 

V

 

导通电阻 (VGS=-10V)

 

RDS(on)

 

50 最大

 

33 典型

 

 

正向跨导

 

gfs

 

10 典型

 

13 典型

 

S

 

分析:VBA2333 在典型条件下的导通电阻显著更低(33mΩ vs 50mΩ最大值),这意味着在相同条件下其导通损耗可能更低。VBA2333 的阈值电压范围更接近0V,可能在较低的栅极驱动电压下更容易完全导通。

 

3.2 动态特性

 

参数

 

符号

 

NDS9435A

 

VBA2333

 

单位

 

输入电容

 

Ciss

 

528

 

未提供

 

pF

 

输出电容

 

Coss

 

132

 

未提供

 

pF

 

反向传输电容

 

Crss

 

70

 

未提供

 

pF

 

总栅极电荷

 

Qg

 

14 最大

 

16 典型

 

nC

 

栅-源电荷

 

Qgs

 

2.2 典型

 

2.3 典型

 

nC

 

栅-漏(米勒)电荷

 

Qgd

 

2 典型

 

4.5 典型

 

nC

 

分析:NDS9435A 的总栅极电荷最大值低于 VBA2333 的典型值(14nC vs 16nC),且栅-漏电荷更低(2nC vs 4.5nC),表明其栅极驱动损耗可能更低,开关速度可能受米勒效应的影响更小。VBA2333 的文档未提供完整的电容参数。

 

3.3 开关时间

 

参数

 

符号

 

NDS9435A

 

VBA2333

 

单位

 

开通延迟时间

 

td(on)

 

14 最大

 

25 最大

 

ns

 

上升时间

 

tr

 

24 最大

 

25 最大

 

ns

 

关断延迟时间

 

td(off)

 

25 最大

 

70 最大

 

ns

 

下降时间

 

tf

 

17 最大

 

50 最大

 

ns

 

分析:根据文档提供的最大开关时间参数,NDS9435A 在所有开关时间参数上均优于 VBA2333,尤其是关断延迟和下降时间优势明显。这表明 NDS9435A 可能具有更快的整体开关速度。

 

四、体二极管特性

 

参数

 

符号

 

NDS9435A

 

VBA2333

 

单位

 

二极管正向压降

 

VSD

 

-1.2 最大 @ -2.1A

 

-1.1 最大 @ -2.3A

 

V

 

反向恢复时间

 

trr

 

未提供

 

30 典型

 

ns

 

反向恢复电荷

 

Qrr

 

未提供

 

未提供

 

μC

 

峰值反向恢复电流

 

IRRM

 

未提供

 

未提供

 

A

 

分析:两款器件的体二极管正向压降相近。VBA2333 提供了反向恢复时间典型值(30ns),这对于评估其在同步整流等应用中的性能有帮助,而 NDS9435A 未提供此参数。

 

五、热特性

 

参数

 

符号

 

NDS9435A

 

VBA2333

 

单位

 

结-壳热阻

 

RθJC

 

25

 

未提供

 

°C/W

 

结-环境热阻 (特定条件)

 

RθJA

 

50 (1in²铜箔)

 

70 (稳态)

 

°C/W

 

结-脚(散热焊盘)热阻

 

RθJF

 

未提供

 

24 典型

 

°C/W

 

分析:NDS9435A 在较好的PCB散热条件下(1in²铜箔)给出了较低的结-环境热阻(50°C/W)。VBA2333 提供了结-脚热阻(24°C/W典型),为通过PCB铜箔散热的设计提供了更直接的参考。

 

六、总结与选型建议

 

NDS9435A 优势

 

VBA2333 优势

 

◆ 更高的脉冲电流能力(-50A)


 

◆ 更高的最大工作结温(175°C)


 

◆ 更低的栅极电荷与栅-漏电荷


 

◆ 更快的开关速度(依据文档最大时间值)


 

◆ 在良好散热条件下热阻较低

 

◆ 更低的典型导通电阻(33mΩ @ -10V)


 

◆ 提供结-脚热阻参数,便于PCB散热设计


 

◆ 明确符合无卤素环保标准


 

◆ 提供了体二极管反向恢复时间参数

选型建议

 

选择 NDS9435A:当应用对开关速度、脉冲电流能力或高温工作环境有较高要求,且栅极驱动能力有限希望降低驱动损耗时。

 

选择 VBA2333:当应用优先考虑低导通损耗以提升效率,设计依赖于PCB铜箔散热并需要相关热参数,或产品有明确的无卤素等环保要求时。其更低的典型RDS(on)是其核心优势。

 

备注:本报告基于 NDS9435A(onsemi/Fairchild)和 VBA2333(VBsemi)官方数据手册生成。所有参数值均来源于原厂数据手册,测试条件可能略有差异,设计选型请以最新官方文档为准。
 

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