在十五五新基建与双碳政策驱动下，智算中心加速扩容，服务器电源正朝着高效率、高功率密度、高可靠性、智能化方向快速迭代。上海贝岭深耕模拟IC与功率半导体领域多年，打造从功率器件、栅极驱动、电源管理、隔离器、接口芯片、线性电路产品、存储器、控制芯片到计量芯片的全品类配套方案，为服务器电源提供一站式国产化解决方案，助力客户抢占算力时代先机！
功率器件产品矩阵：四大MOSFET器件平台强势覆盖
功率器件是服务器电源高效运行的核心，上海贝岭构建高压 SJ MOSFET、SiC MOSFET、中低压 SGT MOSFET、高压平面MOSFET四大产品平台，覆盖服务器电源全功率段选型需求。
超结MOSFET方面，上海贝岭已经形成多次外延与深沟槽双技术路线并行迭代的格局。其中，G3代深沟槽技术实现cell pitch 7μm、RSP低至1.0Ω·mm²的关键指标；同时兼具超低的栅极电荷Qg与输出电容Coss，有效降低导通损耗与开关损耗，在提升转换效率的同时降低系统温升，延长电源使用寿命。
SiC MOSFET方面，基于第五代平面栅技术平台，通过对沟道区进行精细化设计与周期性势场调控，实现了导通电阻、开关损耗与栅极阈值电压漂移的协同优化，确保器件在高温、高频工况下具备优异的稳定性。通过优化栅源电容与栅漏电容比值Cgs/Cgd，增强了栅极抗串扰能力，有效抑制桥式拓扑中的直通风险。结合HU3PAK、QDPAK等高功率密度封装，可进一步优化散热路径与寄生参数，提升器件在高结温、高功率密度工况下的应用能力与系统可靠性。
SGT MOSFET方面，上海贝岭产品覆盖30V至200V全系列。以40V系列产品为例，采用红磷衬底及HDP工艺，可以显著降低衬底电阻及沟道电阻。同时，得益于精心调试的工艺，高密度元胞并没有额外增加应力，wafer仍然可以减薄至100um(非taiko)，这也显著降低了衬底电阻。同时支持多管并联应用场景下的栅极阈值电压Vth档位定制筛选，满足模块化服务器电源对多路并联均流的需求。
辅助电源的高压平面MOSFET方面，上海贝岭高压平面MOSFET产品线覆盖100V~1700V宽电压范围，拥有领先的EAS抗冲击能力和短路耐量，为反激式辅助电源提供高可靠性方案。
计量明星产品：高性价比与高集成度的双重选择
在服务器电源领域，能效管理日益精细化，精准的功率监测与电能计量已是刚需。计量产品是上海贝岭的传统优势领域，本次重磅带来从独立计量IC到电能采集专用SoC的完整产品组合：
· BL0942：内置时钟免校准，支持电流、电压有效值、有功功率、有功电能量等参数测量，SSOP10/TSSOP14 封装，适配智能计量模块；
· BL0971：单相交/直流计量，支持电流、电压有效值、有功功率、无功功率、有功电能、无功电能等参数的测量，QFN20封装，适配交直流能耗监控；
· BL6552：7通道三相计量，支持3路电压采集+4路电流采集，适配三相电源监控、电能质量分析；
· BL66A02XX：电能采集专用SoC芯片，内嵌 ARM Cortex-M0 内核，256KB Flash+32KB SRAM，集成独立硬件计量单元（EMU），支持全波 / 基波 / 谐波计量、波形重构，丰富通信接口，适配高端服务器电源智能监测与数据交互。
从单独的计量芯片到高度集成的SoC方案，上海贝岭计量产品形成了完善的梯队布局，能够灵活匹配不同服务器电源产品对能效监测的精简与复杂需求，是名副其实的“明星产品”。
上海贝岭服务器电源选型指南
围绕服务器电源供电、控制、监测与通信等需求，贝岭提供电源管理、信号链、计量、存储及隔离等全系列 IC 器件，性能可靠、兼容性强，可灵活匹配不同拓扑与功率等级，助力实现高效、智能的电源设计。
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