新能源汽车、光伏储能、AI服务器电源等应用的电气系统正在掀起“升压”热潮，400V、800V，甚至1000V以上的平台逐渐成为市场主流。SiC器件开始变得流行，但它有个特点，那就是需要更高驱动电压，才能将内阻降到最低，发挥真正的性能。同时，关断时，它还需要一点反向推力，即负压关断，否则它有可能自己导通。
图片来源：荣湃（下同）为了应对这个市场需求，荣湃半导体推出了Pai8236系列双通道隔离驱动芯片，它能够提供40V的正向驱动电压，可驱动MOSFET、IGBT，以及SiC器件等各类功率器件。最高支持5MHz的开关频率，能够满足电源转换器、电机驱动等应用对快速开关和高效率的要求。
图：Pai8236系列引脚定义图
主要特性
Pai8236系列基于iDivider技术而设计，具有4A峰值源电流和6A峰值灌电流能力，并提供多个特色子系列，可满足不同应用场景的特定需求。例如Pai8236XS通过分离输出独立控制上升/下降沿时间；Pai8236XN支持外接负电压以实现负压关断；Pai8236XNX集成了内部负偏压关断功能。主要特性如下：
一是高驱动电压与电流能力
它具有40V驱动电压，专为SiC功率器件而设计，能提供更高的正向驱动电压，从而最大程度降低SiC器件的导通电阻，使其性能得到充分发挥。另外，其峰值源电流和峰值灌电流有两个版本，非米勒钳位版本分别是4A和6A，米勒钳位版本可达10A和10A。可确保能够快速有效地驱动大功率MOSFET、IGBT和SiC器件的栅极，实现快速开关，减少开关损耗。
二是高隔离与可靠性
它具备8000VPK增强型隔离，符合DIN V VDE V 0884-11:2017-01标准，以及UL 1577标准下的1分钟5kVRMS隔离电压，为高压系统提供卓越的电气隔离保护，确保人身和设备安全。共模抑制比最低可达100kV/µs（可选200kV/µs），保证芯片在复杂电磁环境中信号传输的稳定性和可靠性，有效抵抗高dv/dt引起的瞬态干扰。
三是多功能集成，设计灵活
每个驱动器可灵活配置为双低侧驱动、双高侧驱动或带可编程死区时间(DT)的半桥驱动。当DISABLE引脚置高时，可同步关闭双路输出。作为失效保护机制，原边逻辑侧故障时将强制双路输出保持低电平。
此外，N系列产品专为需要负压关断的SiC器件优化，支持外部负压输入，并内置-2V、-3V、-4V、-5V多种负压选项，简化了负压配置，确保SiC器件快速可靠关断。
图：Pai8236关键电气参数
主要应用场景
Pai8236系列双通道隔离驱动芯片以其卓越的性能和高可靠性，广泛适用于对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的各类高压电力电子应用。例如，新能源汽车的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器、光伏储能系统中的太阳能逆变器和储能变流器、电机驱动器、不间断电源（UPS），以及工业电源和数据中心等场景。
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