中国存储芯片龙头企业长江存储（YMTC）正在加速扩张步伐。据多方消息证实，在完成现有三期项目建设后，该公司计划在武汉再投建两座新晶圆厂。届时，其总产能将实现翻倍增长，进一步提升中国在全球存储芯片市场的竞争力。
按照规划，三座新工厂全面投产后，每座月产能将达10万片，较现有两座工厂合计20万片的月产能大幅提升。其中，三期项目预计于今年年底率先投运，2027年产能爬坡至5万片/月。
值得关注的是，三期工厂的设备国产化率已超过50%，标志着本土半导体供应链的重要突破。
此次扩产不仅限于产能规模，更涉及产品结构的关键调整。除传统NAND闪存外，长江存储已将三期工厂约一半产能转向低功耗DRAM，并向客户送测样品。同时，公司正在研发硅通孔（TSV）封装技术，为未来布局高带宽内存（HBM）市场做准备。
当前，长江存储在全球NAND闪存市场的份额约为11.8%，与闪迪持平。分析机构预测，随着新产能陆续释放，其市占率有望在2028年提升至15%。
尽管受技术壁垒限制，其Xtacking 4.0架构约270层，仍落后于三星、SK海力士等竞争对手，但凭借自主可控的供应链优势，长江存储正在加速缩小与国际巨头的差距。
这一轮扩产计划的落地，不仅将改变全球存储芯片的供需格局，也意味着中国在半导体设备、材料等关键环节的自给能力正在经受大规模量产考验。对于正处于技术封锁压力下的中国半导体产业而言，长江存储的产能爬坡进度将成为观察国产替代成效的重要窗口。
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