2026 年 3 月 24 日，曾被寄予厚望、试图接盘格芯成都烂尾厂的半导体项目，如今正走向终局。
成都市龙泉驿区人民法院3月20日发布公告称，因成都积体半导体有限责任公司、真芯（杭州）半导体有限责任公司及第三人成都高真科技有限公司下落不明，依法公告送达民事判决书，要求两家股东在合计超 14.6 亿元未缴出资本息范围内，对高真科技债务承担补充赔偿责任。这起事件，也揭开了从格芯成都烂尾、地方政府接盘到三星技术泄露的完整脉络。
时间拨回 2020 年，格芯（GlobalFoundries）成都项目因资金与战略调整陷入停滞，这座由成都市政府投资 70 亿元建成的 12 英寸晶圆厂厂房，一度成为当地半导体产业的 “烂尾伤疤”。
就在行业唏嘘之际，一家由前 SK 海力士副会长崔珍奭（CHOI JINSEOG）掌舵的新公司 —— 成都高真科技有限公司，带着 “接盘建厂” 的承诺登场：计划依托格芯遗留厂房，建设先进 DRAM 内存生产线，填补国内高端存储芯片产能空白。然而，这份雄心很快因一场跨国技术窃密案戛然而止。2024 年 9 月，以涉嫌违反《产业技术法》《防不正当竞争法》、渎职等嫌疑，拘留曾供职于三星电子、SK海力士半导体部门的前高管崔某，以及三星电子前首席研究员吴某并移交至检方。
据悉，两人于2020年9月在中国成立了半导体制造商公司成都高真科技有限公司（CHJS），该公司注册成立时总投资约50亿元，由成都积体半导体有限责任公司和真芯（北京）半导体有限责任公司共同出资设立。作为一家半导体创业公司，CHJS具备芯片设计、晶圆制造、封装测试全产业链能力，并致力于研发和建设生产线。
韩国警方解释称，此次泄露的半导体加工技术是三星电子投入开发费用高达4.3万亿韩元的技术，考虑到经济影响，实际损失金额难以估计。尽管高真科技已于 2024 年 6 月成功开发出 20 纳米 DRAM 并筹备量产，但由于此次调查，工厂停产，并且确定泄露的技术并没有带来实际利润。
韩国警方随后对约 30 名入职高真的前三星、SK 海力士员工立案调查，深挖人员非法外流与技术泄露链条。如今，随着成都积体半导体、真芯（杭州）半导体等主体被法院认定 “下落不明”，这场从 “接盘烂尾厂” 到 “卷入技术泄露” 再到 “股东失联偿债” 的半导体闹剧，终于走到司法追责节点。
判决书明确：成都积体半导体 需在未缴出资6.17亿元本息范围内，对成都高真科技有限公司在（2025）川0191民初2418号民事判决书中的债务不能清偿部分承担补充赔偿责任；
真芯（杭州）半导体需在未缴出资8.50亿元本息范围内，对成都高真科技有限公司的债务承担补充赔偿责任。
公告要求两被告自公告之日起30日内来法院领取判决书，逾期视为送达。如不服本判决，可在公告期满后15日内上诉至四川省成都市中级人民法院。若逾期未上诉，判决将生效。
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