埃尔塞贡多，2026 年 1 月——增强型氮化镓（eGaN）功率器件的全球领导者 EPC 宣布，EPC2366 正式开始批量生产，这是其第七代氮化镓晶体管系列的首款产品。这一第七代平台树立了功率晶体管性能的新标杆。相比同等规格的硅 MOSFET，EPC2366 在性能方面可提升多达 3 倍。其典型导通电阻——RDS(on) 为 0.8 mΩ，且高度优化的 RDS(on) × QG 品质因数（FoM）小于 12 mΩ·nC，在降低导通损耗和开关损耗的同时，显著改善了热性能。该器件专为高效率、高功率密度的电源系统设计，在同步整流、高密度 DC-DC 转换、AI 服务器电源以及先进电机驱动等应用中表现尤为出色。
该器件支持最高 40 V 的漏源电压以及最高 48 V 的瞬态电压，连续漏极电流可达 88 A，脉冲电流高达 360 A，非常适合需求严苛的功率系统应用。
其紧凑的 3.3 × 2.6 mm PQFN 封装，使该器件在高功率密度应用中表现出优异的热性能，其结到壳的热阻仅为 0.6 °C/W。
EPC 首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 表示：“我们开发的第七代氮化镓功率晶体管，树立了新的行业标杆。40 V 的 EPC2366，是该系列中首款进入量产的产品。此外，EPC 目前已开始提供第七代 25 V 和 15 V 样品，并预计在 2026 年上半年内会有更多产品转入量产。”
为加速设计导入和评估，EPC 同时提供 EPC90167 半桥评估板。该评估板采用低寄生布局，集成两颗 EPC2366 晶体管，支持标准 PWM 驱动信号和灵活的输入模式，为工程师在真实应用中评估器件性能提供了参考平台。
价格与供货情况
EPC2366 现已进入批量生产，并可通过分销渠道及直销方式订购，助力数据中心电源、同步整流级、电机驱动以及其他高功率密度电源转换应用中实现规模化设计。
EPC2366 eGaN FET 以每卷 3,000 只的包装形式供货，单价为 1.56 美元。
EPC90167 开发板单价为 211.65 美元。
EPC2366 与 EPC90167 开发板，均在得捷电子 DigiKey 现货供应，详情请访问得捷电子商城。
开发人员也可以在 EPC 官方网站上找到交叉参考工具，根据指定工作条件查找推荐的替代器件。
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