受关键芯片短缺影响，内存价格预计将在 2026 年 Q2 之前在当前基础上再上涨约 50%。
目前，传统 LPDDR4 面临的涨价风险最大。与此同时，随着英伟达在服务器端大幅提升对 LPDDR 的需求，围绕先进芯片出现了更广泛、更长期的风险因素，从而向整个消费电子市场外溢。
根据 Counterpoint Research 最新发布的《GenAI 的内存解决方案》双周报告，今年以来内存价格已累计上涨 50% 。在此基础上，价格预计将在 2025 年 Q4 继续上涨 30%，并可能在明年初再上升约 20%。
当前的核心问题之一是传统 LPDDR4 供给趋紧。为了满足AI对先进新品的强劲需求，供应商纷纷将产能转向更高端的工艺，导致整体市场结构被打乱。现货市场价格出现倒挂：服务器和 PC 使用的 DDR5 交易价格约为每千兆位（Gb） 1.50 美元，而用于消费电子产品的老款 DDR4 价格却高达 2.10 美元，甚至高于目前约 1.70 美元的先进 HBM3e。
Counterpoint 预测，2026 年主要芯片厂商的 DRAM 产量将增长超过 20%。研究总监 MS Hwang 表示：“三星可能会调整其不断扩大的 1C 工艺产能分配；SK 海力士正在提升产量并上调销售目标；长鑫可能会带来超预期表现；而一贯重视投资回报率的美光也不太可能继续按兵不动。”
更长期、更广泛的风险：先进内存
当前的芯片短缺主要集中在传统产品端，这对使用 LPDDR4 的经济型智能手机等低价消费电子产品造成了影响。
Hwang 说：“真正更大的风险来自先进内存，英伟达近期转向 LPDDR意味着其需求量已达到大型智能手机制造商的规模——这对供应链来说是一个巨大的冲击，因为它无法轻易消化如此大规模的需求。”
传统上，服务器依赖DDR ECC（纠错码）内存以保证可靠性，而英伟达选择转向使用 LPDDR，以实现更低的功耗，并将纠错逻辑转移到 CPU 侧，而非依赖 DDR5 ECC。
因此，在供应极度受限的情境下，Counterpoint 预测 2025 年 Q1 至 2026 年底，DDR5 64GB RDIMM 的 DRAM 模组的价格将上涨两倍。
图：DRAM 价格情况（DDR5 64GB RDIMM）（来源：Counterpoint Research《GenAI 的内存解决方案》双周报告，第 21 期）
目前的短缺主要出现在中低端智能手机市场，对经济型智能手机制造商造成了冲击。“但这种影响很可能会向整个智能手机与消费电子生态系统蔓延。”高级分析师 Ivan Lam 表示，“我们所看到的是智能手机 BOM 成本的显著攀升，部分机型的涨幅可能高达 15%。这将波及核心的中高端市场，进一步压缩利润率或拖累增长，甚至很可能两者同时发生。。”
与此同时，关税、地缘政治、就业趋势等宏观风险进一步提升了不确定性。行业正处于产能受限与价格飙升的双重压力下，供应商与制造商将被迫在一系列艰难的权衡中寻找生存空间。
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