技术 | AW96205DNR高性能手机防水游戏肩键:艾为触控,重塑移动游戏体验

来源: 艾为官网 2025-08-11 09:46:13

在移动游戏产业蓬勃发展的当下,手游外设已从 “可选配件” 升级为 “核心装备”。其中,手机电容式防水肩键凭借无物理触点、低延迟响应、IP68 级防水等特性,成为专业手游玩家的首选。
 

技术演进背景:从机械到电容的必然转型

传统的手机游戏物理肩键,存在以下三大主要痛点:

  • 机械磨损(按键寿命约50万次)
  • 防水缺陷(物理缝隙导致IP68认证困难)
  • 空间占用(单按键占用>35mm³)

在手机游戏肩键的方案应用上,电容式防水肩键与传统物理肩键之间,主要区别如下:


 

电容式方案的核心优势在于非接触式触发,彻底解决了物理按键的磨损、进灰、防水难题。通过算法优化,其最小触发距离已接近物理按键的键程体验。100Hz的响应速度在《和平精英》《原神》等竞技游戏中可带来明显的操作优势 。

 

容式肩键的技术挑战:游戏肩键主要技术要求

电容式检测,主要依赖的是检测电容的变化,来判断是否为按键触摸。检测电容的变化量,与实际按压的接触面积,以及检测电极上的介电常数,有很大的相关性。

 

考虑到游戏场景下用户的操作复杂性,每次按压的实际接触面积是不一致的,且可能存在边缘触摸的可能性(边缘接触面小,信号变化小),单一的阈值检测的方案,无法覆盖所有的接触场景。另一方面,长期使用,人手汗液会残留在检测电极表面,使电容变化量,较干燥场景下,变化更大,增加了误触发的风险。同时,长期使用,检测电极表面温度会上升,也会对检测结果产生较大的干扰。

基于上述描述,电容式游戏按键,面临的具体技术难点,可总结如下:

 

1. 极速响应与全区域触发 

  • 干手快速点击:响应时间需实现100Hz以上,确保连击操作无感知滞后。
  • 边缘按压:最低需要实现1/3键面的按压识别(电极边缘信号衰减导致灵敏度下降30%~50%)。

2. 复杂环境下的稳定识别 

  • 带水/汗操作:在 0.1~0.3ml 液体残留(模拟洗手后未擦干状态)下保持>95%识别率。
  • 姿势变化抗干扰:手指侧滑/滚动按压时,会导致接触面积变化,信号特征不稳定。

 

3. 精细化触发控制 

  • 轻触识别:手指轻搭在接触面上可识别 
  • 缓慢按压:速度≥0.2mm/s 可识别
  • 长按稳定:持续10s+ 无断触
  • 悬空防误触:感应距离≤2mm(精度±0.3mm)

艾为游戏肩键算法方案:大禹防水算法

在容式游戏肩键的应用场景上,艾为有一套自研的成熟算法方案——大禹防水算法。该算法方案,是为了应对游戏场景下的各类问题,定制开发的一种专用方案。目前,已在手机游戏肩键上应用,市场端反馈良好。方案的技术特点如下:

  • 刷新速率可达到500HZ以上,满足快速响应的需求;
  • 最多支持三档灵敏度的调节,以适应不同群体对响应速度的要求;
  • 通过按压信号的特征识别,实现高精度判别,提高了水、汗场景下识别的准确率;
  • 采用阶梯式分段的阈值设定策略,适应不同手势下的按键触发;
  • 自适应基线调整策略,保证长时使用的稳定性;
  • 水量预测方案,根据信号特征,预测按键残留的水量,采用特定的基线策略,应对水量过多残留的场景。

1. 算法模块框架

该方案,算法在底层固件实现。上层可通过指令下发的方式,对初始电容状态进行校准,以及对灵敏度的设置。底层固件,经过一系列算法处理,输出算法判定后的触摸、非触摸状态,供上层处理。算法模块框图如下:

图1 算法模块框图

 

2. 典型应用场景下的数据展示

针对游戏肩键场景下的几种典型操作手法,进行测试,数据特征如下(VALID表示有效信号量,STATUS0表示常规触摸方案的触摸状态,STATUS1表示“大禹防水”触摸方案的触摸状态):

图2 干手点击
 

图3 干手按压变化按压姿势
 

图4 带水点击

从典型场景数据测试结果可以看出:

1)“大禹防水”算法方案,在防水性能上优于常规触摸方案在有水渍残留的场景下,对数据趋势的变化,更敏感,更易捕捉到离手动作;

2)“大禹防水”算法方案,干手情况下,也能做到与常规触摸方案等同的触摸效果。

 

艾为游戏肩键方案实施:芯片选型

艾为游戏肩键应用,算法集成在AW96205DNR系列芯片内,该款芯片的主要特性如下:

图5 AW96205DNR应用框图

 

芯片特性介绍

5通道高灵敏度 Cap Sensor

-电容分辨率:1aF

-补偿电容:220 pF

-高性能自适应温补算法

-“大禹”防水防汗算法

-程序灵活,支持客制化

-10000次在线升级(OTA)

低功耗

-Active:22uA

-Doze:6.7uA

-Sleep:5.5uA

-Deep Sleep: 2.5uA

I²C : 400 kHz, 地址可扩展

VCC:2.7~3.6V 

内存:16kB Flash,8kB RAM

温度:-40°C~85°C 

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