某些功放产品（例如GaN功放），需要负电平精准控制功放的栅极电压。本文介绍一种简单的栅压控制方案，采用乾鸿微电子HS102EO型高速SPDT模拟开关进行栅压控制和高速切换。

HS102EO型低压高速单刀双掷(SPDT)模拟开关是由深圳市乾鸿微电子有限公司自主设计，并基于国内代工厂工艺流片的模拟集成电路产品。该产品基于CMOS工艺设计，可在2.5V~5.5V的电源范围内工作，除了常规的正电源应用外，还可以实现负电源的应用，具体应用电路图如下所示。

VDD端口接最高电平0V，GND端口接负电源-5V，控制端口IN给的信号是-5V~0V的方波，就以实现对S1和S2导通状态的控制。当IN端的信号为0V时，通道S1导通，S2关断；当IN端的信号为-5V时，通道S2导通，S1关断，导通真值表如下所示。

VDD端接0V，GND端接-5V时，控制端IN的逻辑高低电平的推荐值如下：  

HS102EO型单刀双掷模拟开关在此种电路应用下，就可以实现对电压范围为-5V~0V的传输信号导通和关断情况的控制。适用于一些需要切换传输负压信号的通信、视频、音频等应用场合或一些负压信号处理系统。

该产品采用塑封 SOT23-6L，工业级，工作温度范围为-40℃~125℃。