国庆篇 | 中国集成电路产业重要事件摘编（1954-2000年）

中国集成电路产业在建国之后就开始了自研之路，1954-2000年经历了包括自力更生、探索发展、重点建设几个阶段。下面就1954-2000年期间，我国集成电路产业在这个时间段的重要事件进行摘编。

1954年

由黄昆带头，北京大学物理系专门为学生开设了“半导体物理学”新兴课程。1956年开始，中国大规模开启半导体科技研发和人才培养，同年，国家提出要“向科学进军”，建设社会主义现代化强国。国务院制订了科技发展12年规划，将电子工业列为重点发展目标。

中科院王守武、王守觉研制出中国第一批锗合金高频晶体管，并成功应用在109厂的109乙计算机上。同年，中科院半导体所和河北半导体研究所正式成立，中国的半导体工业体系初步建成。

在林兰英的带领下制成硅单晶，仅比美国晚一年。这一年，苏联专家大规模撤出中国；美国的仙童公司研制出全球第一块可用于大规模量产的集成电路。

中科院109厂为研制109乙型计算机提供了12个品种、14.5万多只锗晶体管，完成了该机所需的器件生产任务。

王守觉在一块约1平方厘米大小的硅片内，刻蚀了7个晶体管、1个二极管、7个电阻和6个电容的电路，我国第一块集成电路由此诞生，这一时间比美国晚了不到7年。

中国完成了动态随机存储器核心技术的研发工作，当时的中科院109厂生产出中国第一块1024位动态随机存储器，这一成果尽管比美国、日本晚了四五年，但是比韩国要早四五年。

中国台湾“工研院”向美国购买3英寸晶圆生产线，1977年建成投产，采用7微米CMOS制造工艺。在工研完的牵头组织下，联电从美国引进4英寸晶圆生产线，工研院又将新开发的3.5微米CMOS制造工艺转让给联电。

江南无线电器材厂从日本东芝公司引进彩色和黑白电视机集成电路5微米全套生产线。该工厂当时能够生产硅高频中小功率三极管、硅低频大功率晶体管等20多个产品。2023年9月13日，江南无线电器材厂入选第三批中国工业遗产保护名录。

台积电创立，开创了晶圆代工（foundry）模式。该公司是中国台湾工研院电子所的衍生公司，1988年与德州仪器公司合作，将德州仪器的CMOS工艺引进台积电，成为台积电的核心技术之一。

1988年，上海市仪表局和上海贝尔公司合资设立上海贝岭，外资占股40%。初期主要业务是为上海贝尔提供专用于通信的集成电路。上海贝岭采取了IDM垂直一体化发展模式，也就是从芯片设计、晶圆制造到封装测试统统自己来做。

我国的集成电路年产量终于达到1亿块。按照当时的通用标准，一个国家的集成电路年产量达到1亿块标志着开始进入工业化大生产。美国在1966年率先达到，日本随后在1968年达到。中国从1965年造出自己的第一块集成电路以来，经过漫长的23年，才达到了这一标准线。

华为成立了自己的ASIC设计中心（海思的前身），专门负责设计“专用集成电路”，当时距离华为创立仅4年，员工只有几十人。1993年，ASIC设计中心成功研发出华为第一块数字专用集成电路。

经原国家教委批准，成立于1988年7月的清华大学科技开发总公司改组为清华紫光（集团）总公司，紫光的集团化运作便起于此。

确定了中国电子工业有史以来投资规模最大、技术最先进的一个国家项目——“909工程”，投资100亿元，建设一条8英寸晶圆、从0.5微米工艺技术起步的集成电路生产线。

华晶和上华合作的工厂转制为合资公司——无锡华晶上华半导体公司，上华持股51%；新公司迅速扭亏为盈，成为中国大陆第一家“纯晶圆代工”企业。

华虹NEC建厂完工，2000年取得30.15亿元的销售额，利润达到5.16亿元，其技术档次达到0.35～0.24微米，生产的64MB和128MB SDRAM存储器达到了当时的国际主流水准。标志“909工程”取得成绩。